Ви є тут

Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления силовых интегральных микросхем на основе КМОП транзисторов

Автор: 
Тихонов Роберт Дмитриевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2001
Кількість сторінок: 
126
Артикул:
232887
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫМ СИЛОВЫМ ИНТЕГРАЛЬНЫМ СХЕМАМ ИСИС
1.1. Силовые ключи на МОП транзисторах
1.2. Особенности МОП транзисторов, как силовых
элементов.
1.3. Планарные силовые МОП транзисторы
1.4. Интеллектуальные силовые интегральные схемы
1.5. Драйверы силовых ключей
1.6. Выводы.
ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВОГО МОП ТРАНЗИСТОРА
2.1. Топология силового МОП транзистора.
2.2. Конструктивнотехнологические варианты изготовления силовых МОП транзисторов
2.3. Изготовление опытных партий микросхем
2.4. Выводы.
ГЛАВА 3. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВЫХ п И рМОП ТРАНЗИСТОРОВ
3.1. Особенности моделирования силовых МОП транзисторов
3.1.1. Структура МОП транзисторов.
3.1.2. Профамиое обеспечение
3.1.3. Формулировка задачи
3.2. Оптимизация конструкции пМОП транзистора.
3.3. Анализ способов повышения пробивного напряжения ЫМО 1 транзистора при переменных параметрах.
3.3.1. Концентрация примеси в подложке
3.3.2. Длина пинчрезистора.
3.3.3. Длина поликремниевого затвора.
3.4. Оптимизация конструкции рМОП транзистора.
3.5. Выводы.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МОП ТАНЗИСТОРОВ.
4.1. Технологический контроль силовых транзисторов
4.2. Измерение параметров пМОП транзисторов на АИК
4.2.1. Выводы
4.3. Исследование параметров и характеристик рМОП транзисторов
4.3.1. Выводы
ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА И МОДЕЛИРОВАНИЕ СХЕМ УПРАВЛЕНИЯ, ЗАЩИТЫ И ТЕЛЕМЕТРИИ СИЛОВОЙ ЧАСТИ
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ.
5.1. Микросхема МСК.
5.2. Функционирование микросхемы интеллектуальных силовых ключей МСК
5.3. Динамические параметры силовых ключей
5.4. Исследование элементов микросхемы силовых транзисторов МСТ
5.4.1. Состав МСТ. Контролируемые параметры.
5.4.2. Методики контроля
5.4.3. Влияние температуры на параметры МСТ.
5.4.4. Основные результаты контроля.
5.5. Исследование параметров микросхемы силовых ключей МСК в диапазоне температу ры.
5.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ