Ви є тут

Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами

Автор: 
Путря Михаил Георгиевич
Тип роботи: 
докторская
Рік: 
2002
Кількість сторінок: 
278
Артикул:
232884
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
Общая характеристика работы.
1. Современные проблемы разработки процессов плазменного травления для У БИС
1.1 Особенности применения процессов ПТ при создании трехмерных субмикронных микроструктур.
1.2 Специфика плазменного оборудования, используемого в субмикронной технологии.
1.3 Технологические проблемы обеспечения аспектного отношения микроструктур
1.4 Исследование особенностей травления субмикронных микроструктур
1.4.1 Травление антиотражающих покрытий АОП
1.4.2. Анализ особенностей травления диэлектрических слоев субмикронных микроструктур
1.4.3. Особенности травления диэлектриков с высоким аспектным соотношением.
1.5. Анализ характерных проблем селективного травления диэлектрических слоев микроструктур
1.5.1 Существующие проблемы обеспечения селективности травления по отношению к нитриду кремния
1.5.2 Существующие проблемы обеспечения селективности травления по отношению к окислу кремния.
1.6. Обзор проблем травления субмикронных канавок в кремнии
1.7 Анализ процесса формирования выемки в кремнии
1.7.1. Возможности радикального травления
1.8. Проблемы, возникающие при травлении затвора.
1.8.1. Особенности процесса вскрытия маски проводника затвора реактивным ионным лравлением
1.8.2. Анализ проблем, возникающих при травлении стековых проводников затвора
1.8.3. Особенности травления слоев проводников межсоединений
Выводы и постановка задач.
2. Методология разработки процессов формирования трехмерных структур У БИС плазменными методами
2.1 Выбор аппаратной базы для процесса плазменного травления
2.2 Анализ особенностей воздействия плазмы на обрабатываемые структуры.
2.3 Принципы выбора рабочих газов
3. Специализированные реакторы плазменного травления для создания субмикронных трехмерных структур У БИС.
3.1. Общие требования к современным плазменным источникам.
3.2. Исследование и оптимизация параметров магнетронного источника плазмы .
3.2.1. Анализ влияния режима охлаждения подложки на параметры травления
3.2.2. Исследование влияния межэлектродного расстояния на параметры травления
3.2.3. Изучение влияния индукции магнитного поля и мощности разряда на параметры травления
3.3. Анализ и оптимизация параметров источников индукционно и трансформаторносвязанной плазмы.
3.3.1 Исследование и оптимизация параметров реактора индукционной плазмы .
3.3.2 Параметры процессов травления в реакторе индукционной плазмы
3.3.3 Исследование параметров реактора трансформаторносвязанной плазмы .
3.3.4 Параметры процессов травления в реакторе трансформаторносвязанной
плазмы.
3.3.5. Дополнительные возможности ИСП и ТСП реакторов
Выводы.
4. Исследование свойств и разработка специализированных газовых составов
для процессов плазменного формирования микроструктур
4.1 Особенности свойств газовой фазы разряда в многокомпонентных газовых смесях
4.2. Исследование особенностей примесного загрязнения поверхности кремния после плазменной обработки в многокомпонентных газовых смесях.
4.3. Влияние изменений морфологии и химического состава поверхности кремния после плазменной обработки на ее адгезионные свойства.
4.3.1. Исследование влияния плазменной обработки на адгезионные свойства поверхности кремнийсодержащих слоев УБИС по отношению к фоторезисту
4.4. Исследование влияния плазменной обработки на электрофизические
свойства МОП структур.
5. Исследование и разработка специализированных процессов плазменного формирования трехмерных микроструктур УБИС
5.1. Особенности влияния плазменной обработки в высокоплотной плазме на состояние поверхности кремниевых микроструктур
5.2. Исследование и разработка процессов плазменного формирования микроструктур по технологии самоформирования
5.3. Анализ влияния маскирующих слоев на геометрические параметры трехмерных элементов УБИС при плазменном травлении
5.4. Плазменное профилирование кремния для микромеханических систем.
5.5 Формирование элементов пленочных структур в интегральных КНИ
микросистемах.
Основные результаты и выводы
Список использованных источников