- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
Тип работы:
Кандидатская
Год:
2013
Артикул:
340672 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений
- Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образования доменов в диодах Ганна
- Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений
- Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления силовых интегральных микросхем на основе КМОП транзисторов
- Исследование и разработка методов моделирования для управления технологическими процессами компьютерно-интегрированного производства СБИС
- Датчики на поверхностных акустических волнах с управляемой химической селективностью для систем электронного носа и газовой хроматографии
- Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов
- Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах
- Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs
- Зависимости электрических параметров нано-МОП транзисторов со структурой КНИ от конструктивных и технологических факторов