- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів Si1-хGeх і їх застосування для створення елементної бази сенсорів температури та деформації
Тип работы:
Дис. канд. наук
Год:
2005
Артикул:
3405U000565 129 грн
Рекомендуемые диссертации
- Твердотільні електронні перетворювачі для фототеплоенергетичних та сенсорних систем
- Фільтри НВЧ на складених діелектричних резонаторах
- Адаптація управління регіональним розвитком до динамічних процесів в системі національної економіки
- Радіаційностійкі сенсори магнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткого випромінювання
- Фізико-технологічні особливості формування субмікронних структур великих інтегральних схем
- Фізико-технологічні основи електронно-йонних методів створення наноструктур функціональних елементів для НВІС
- Фізико-хімічні процеси при виготовленні великогабаритних фотоелектричних перетворювачів в умовах серійного виробництва
- Низькотемпературні п'єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин
- Сигнальні перетворювачі ємнісних сенсорних пристроїв на основі твердотільних інтегральних схем низьковольтних rail-to-rail операційних підсилювачів
- Елементи мікросистем на базовому матричному кристалі зі структурою "кремній-на-ізоляторі"