- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Релаксаційні процеси в сенсорах зображень на основі неідеального гетеропереходу CdS-Сu2S
Тип работы:
Дис. канд. наук
Год:
2009
Артикул:
3409U004167 129 грн
Рекомендуемые диссертации
- Адсорбційна чутливість оптоволоконних сенсорів на основі SnО2 до молекул аміаку у водних розчинах.
- Радіаційно індуковані зміни оптичних характеристик нанокристалічних та об'ємних напівпровідників CdS1-xSex
- Особливості механізмів переносу заряду, фотоелектричних і люмінесцентних процесів у діодах Шотткі на SiC і CdTe
- Утворення, трансформація і властивості ростових мікродефектів у напівпровідниковому кремнію.
- Формування акцепторної зони дефектами і домішками в кристалах вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe
- Вплив домішки олова на фізичні властивості широкозонних II-VI сполук
- Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отримані методом радикало - променевої епітаксії
- Дослідження поверхневих збуджень в оптично-анізотропних монокристалах ZnO та 6H-SiC у однорідному магнітному полі
- Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова
- Кінетичні явища та електронні процеси в просторово неоднорідних і низькорозмірних напівпровідникових структурах з розвинутою поверхнею