Содержание.
Страница
Введение
Глава 1. Влияние процессов формирования и защиты по 8 верхности планарных рп переходов на характеристики фотодиодов на основе пБЬ.
1.1. Основные параметры и характеристики ФД.
1.2. Основные свойства и параметры пвЬ.
1.3. Способы изготовления фотодиодов на 1пЭЬ.
1.4. Особенности ионной имплантации в пвЬ.
1.5. Применение отжига в технологии изготовления ФД из пБЬ.
1.6. Защита и просветление поверхности с помощью ди электрических пленок.
1.7. Влияние состава электролита и режима анодирования на свойства АОП и границы раздела пвЬАОП.
1.8. Влияние дополнительного короткозамкнутого рп пере хода, расположенного вблизи основного.
1.9. Выводы главы 1.
Глава 2. Результаты разработки фотодиодов на пБЬ с уль
транизкими темновыми токами для низкофоновых систем.
2.1. Базовая технология изготовления фотодиодов на осно ве пвЬ.
2.2. Предпосылки разработки фотодиодов для низкофо новых систем обнаружения.
2.3. Методики экспериментов.
2.4. Экспериментальные результаты и их обсуждение.
2.5. Выводы главы 2.
Глава 3. Использование альтернативных способов защиты
поверхности рп переходов в технологии изготовления ФД
3.1 Предпосылки разработки альтернативных способов по
лучения АОП.
3.2. Методики экспериментов
3.3. Результаты измерений и их обсуждение
3.4 Выводы главы 3.
Глава 4. Результаты исследований по модернизации техно
логии изготовления ФД на ИЭЬ.
4.1. Влияние исходного материала на чувствительность ФД.
4.2. Методики эксперимента.
4.3. Результаты измерений и их обсуждение.
4 4 Выводы главы 4
Выводы
Список цитированной литературы
- Киев+380960830922