СОДЕРЖАНИЕ
СОДЕРЖАНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА ПЕРВАЯ Литературный обзор.
1.1 Процессы зарядового обмена между атомной частицей и поверхностью
металла.
1.1.1 Физическая модель
1.1.2 Основные процессы электронного обмена
Резонансные переходы
Нерезоиансныс переходы
Ожс нейтрализация и Ожс дсвозбуждснис.
1.1.3 Модель АндсрсонаНьюнса
1.1.4 Способ задания матричных элементов.
1.1.5 Решение уравнения для заселенности атомного уровня.
1.1.6 Приближение широкой зоны.
1.1.7 Влияние параллельной поверхности составляющей скорости атомной
частицы на процесс перезарядки
1.2 Модельные потенциалы.
1.2.1 Модель свободных электронов в металле
1.2.2 Потенциал гонкого диска
1.2.3 Потенциал кластера.
1.2.4 Потенциал иона водорода Н.
ГЛАВА ВТОРАЯ Методы расчета основных характеристик процесса электронного обмена атомной частицы с наносистемами.
2.1 Основные урав юния
2.2 Метод Распространения Волновых Пакетов РВП.
2.3 Стационарное уравнение Шредингера
2.4 Метод прогонки алгоритм Томаса.
2.5 Результаты вычислений
2.5.1 Структура дискретных уровней энергии внутри диска
2.5.2 Структу ра дискретных уровней энергии внутри шарового кластера
атомов .
2.6 Расчет энергии Ферми наносистем
2.6.1 Энергия Ферми тонкого диска
2.6.2 Энергия Ферми шарового кластера атомов.
ГЛАВА ТРЕТЬЯ Квантоворазмерный эффект при взаимодействии иона Н с шаровым кластером атомов А1.
3.1 Электронный обмен между ионом Н и шаровым кластером атомов в
статическом случае
3.1.1 Применение метода РВП
3.1.2 Качественное рассмотрение электронного перехода в кластер атомов
3.1.3 Квантоворазмерный эффект
3.2 Изучение электронного обмена иона Н с кластером в динамическом
3.2.1 Вероятность выживания иона 1Г при его столкновении с
повсрхностЕ.ю.
3.2.2 Эффективная ширина уровня иона Н.
ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ Влияние параллельной составляющей скорости при рассеянии ионов Н на электронный обмен с наносистемами.
4.1 Влияние параллельной составляющей скорости на электронный обмен при скользящем рассеянии ионов водорода Н на тонком диске А1.
4.1.1 Заселенность состояний тонкого диска
4.1.2 Учет влияния параллельной поверхности составляющей скорости
атома на формирование ионов Н
4.2 Влияние параллельной составляющей скорости на электронный обмен при рассеянии ионов водорода Н на шаровом кластере А1
4.2.1 Заселенность состояний кластера атомов
4.2.2 Учет влияния параллельной поверхности составляющей скорости
атома на формирование ионов II.
ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922