Оглавление
Введение
Глава 1 Геометрический резонанс в баллистическом II
переходе1
1.1 Гибридные переходы с полупроводниковым характером проводимости области
слабой связи
1.2 Нормальное сопротивление I I перехода в чистом
пределе.
1.2.1 Одномерный случай.
1.2.2 Трехмерный случай.
1.3 Сверхпроводящие свойства II перехода в чистом
пределе.
1.3.1 Трехмерный случай.
1.3.2 Спектр андреевских состояний чистого I I перехода
1.3.3 Чистый I I переход малой длины 0 . .
1.4 Учет геометрического резонанса в теории сверхпроводящего полевого транзистора
1.5 Краткие выводы Главы 1 .
Глава 2 Теория туннелирования в 2 I структурах
1Для описания структуры переходов применяются условные обозначения 5 волновой сверхпроводник, волновой сверхпроводник, нормальный металл, I изолятор, 5т полупроводник, с сужение.
2.1 Особенности ВТСП и современные теории резонансного
транспорта тока в сверхпроводящих переходах
2.2 Модель перехода.
2.3 Транспорт тока
2.3.1 Общее выражение для тока
2.3.2 Рекуррентные соотношения для фурьекомпонент
электронных волн
2.3.3 Решения для фурьекомпонент электронных волн. .
2.4 при резонансном туннелировании
2.5 Резонансное туннелирование при нулевом угле ориентации
2.6 Краткие выводы Главы 2
Глава 3 Резонансное джозефсоновское туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка
3.1 Модель перехода и функция Грина задачи
3.2 Транспортные свойства перехода
3.3 Частные случаи резонансного рассеяния.
3.3.1 Общая формула резонансного тока для 2 I переходов
3.3.2 I переходы разной размерности.
3.3.3 Резонансное рассеяние в 2 I переходе.
3.3.4 Резонансный ток в 2 I переходе
3.4 Краткие выводы Главы 3
Заключение
Приложение А Сопротивление длинного перехода в трехмерной модели
Приложение Б 2 одноэлектронное резонансное рассеяние
Приложение В Решение рекурентных уравнений для фурьекомпонент волновых функций в 2 I структуре
Приложение Г Функции Грина задачи резонансного транспорта тока в равновесных I переходах
Список публикаций автора
Список литературы
- Київ+380960830922