ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.................................................................. 5
Глава 1. Литературный обзор.............................................. 13
1.1. Процессы радиационных повреждений углеродных материалов .. 13
1.2. Особенности структуры и свойств углеродных материалов 19
1.2.1. Поликристаллические графиты и стеклоуглероды............ 19
1.2.2. Высокоориентированный пиролитический графит (ВОПГ)... 20
1.2.3. Анизотропия свойств ВОПГ................................ 25
1.2.4. Применения ВОПГ......................................... 26
1.3. Структурные и морфологические изменения поверхностного слоя углеродных материалов при высокодозовом ионном облучении........................................................ 28
1.3.1. Поликристаллические графиты............................. 29
1.3.2. Пороговый уровень радиационных нарушений, вызывающих аморфизацию поликристаллических графитов...................... 34
1.3.3. Особенности ионно-индуцированных структурноморфологических изменений ВОПГ................................ 36
1.3.4. Топографическое подавление распыления ВОПГ при высокодозовом ионном облучении................................ 39
1.4. Автоэмиссионные свойства углеродных материалов.............. 41
1.5. Цель и задачи исследования.................................. 51
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методы исследования............ 52
2.1. Оборудование и методика высокодозового ионного облучения материалов....................................................... 52
2.1.1. Масс-монохроматор ускоренных ионов и экспериментальная камера ионного облучения мишеней 52
2.1.2. Мониторинг высокодозового облучения..................... 58
2.2. Подготовка мишеней к эксперименту........................... 59
2.3. Оборудование и методы исследования морфологии, состава, структуры и эмиссионных свойств.................................. 59
2.3.1. Оптическая, растровая электронная и атомно-силовая микроскопия поверхности....................................... 59
2.3.2. Лазерная гониофотометрия отраженного света.............. 62
2.3.3. Дифракционные методы исследования....................... 66
о
2.3.4. Спектрометрия резерфордовского обратного рассеяния 68
2.3.5. Спектроскопия комбинационного рассеяния света........... 72
2.3.6. Диодный тестер полевой эмиссии.......................... 73
2.4. Аналитические и компьютерные методы исследования.............. 73
2.4.1. Моделирование взаимодействия ускоренных ионов с материалами................................................... 73
2.4.2. Стационарный уровень первичных радиационных повреждений при высокодозовом облучении....................... 75
Глава 3. Закономерности ионно-индуцированных процессов
модифицирования поверхностного слоя ВОПГ........................... 77
3.1. Температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии у(7) ВОПГ в циклах нагрева и охлаждения.................. 77
3.1.1. Высокодозовое облучение ионами аргона энергии 30 кэВ ... 78
3.1.2. Влияние энергии ионов на зависимости у(7)............... 83
3.1.3. Влияние угла падения ионов на зависимости у(7).......... 86
3.1.4. Влияние сорта ионов на зависимости у(7)................. 88
3.2. Результаты электронно-микроскопических исследований 90
3.2.1. Ионно-индуцированная морфология поверхности в циклах нагрева и охлаждения.......................................... 91
3.2.2. Влияние температуры облучения на ионно-индуцированную морфологию поверхности......................... 94
3.2.3. Наноконусная морфология при температуре текстурного перехода...................................................... 95
3.3. Результаты структурных исследований дифракционными методами......................................................... 97
3.3.1. Влияние температуры облучения ВОПГ на дифракцию быстрых отраженных электронов................................. 97
3.3.2. Результаты исследований методом индуцированного протонами рентгеновского излучения............................ 99
3.4. Результаты исследований методом спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния............................ 103
3.4.1. Глубина измененного слоя в циклах нагрева и охлаждения . 103
3.4.2. Температурная зависимость глубины внедрения ионов 105
3.4.3. Влияние энергии ионов на глубину их внедрения.......... 107
3.4.4. Результаты исследований методом POP в геометрии
каналирования........................................... 109
Выводы по главе 3............................................... 113
Глава 4. Пороговые уровни первичных радиационных нарушений, приводящи)
к глубокому модифицированию ВОПГ................................ 115
4.1. Аналитические и компьютерные расчеты уровня радиационных нарушений при высоких флюенсах ионного облучения углеродных материалов........................................... 115
4.2. Оценки пороговых уровней радиационных нарушений............ 118
Выводы по главе 4............................................... 120
Глава 5. Автоэмиссионные свойства поверхностного слоя ВОПГ............. 121
5.1. Влияние температуры и геометрии облучения на характеристики полевой эмиссии................................................. 121
5.2. Результаты исследований поверхности методом спектроскопии комбинационного рассеяния света................................. 126
Выводы по главе 5............................................... 127
Заключение............................................................. 129
Список литературы...................................................... 132
4
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы
Процессы взаимодействия частиц плазмы с поверхностью материалов являются предметом интенсивных фундаментальных и прикладных
исследований, связанных с актуальными задачами ионно-плазменных технологий модифицирования поверхностного слоя материалов и синтеза новых материалов, обеспечения радиационной стойкости материалов,
применяемых в космических аппаратах и термоядерных установках,
применения ионных пучков для анализа поверхностного слоя материалов [1-5]. Бомбардирующие ионы и смещенные атомы твердого тела при торможении в упругих и неупругих взаимодействиях приводят к ряду явлений, среди которых накопление и отжиг радиационных дефектов, распыление атомов, эмиссия электронов и фотонов, радиационно-индуцированные диффузия и механические напряжения. Модифицирование структуры и морфологии
поверхностного слоя материала приводит к значительным изменениям его физико-химических свойств.
Углеродные материалы (искусственные поликристаллические графиты, пиро- и стеклоуглероды, углерод-углеродные композиционные материалы) обеспечивают широкий диапазон функциональных свойств, и в радиационных исследованиях они выделяются в отдельный класс материалов [5-7]. Накопленные результаты исследований ионно-индуцированных процессов для углеродных материалов свидетельствуют о необходимости проведения систематических исследований по выявлению роли специфической слоистой структуры и анизотропии этих материалов [7,8]. Особое место среди углеродных материалов занимает высокоориентированный пиролитический графит (ВОПГ), который по своим свойствам является наиболее близким к монокристаллическому графиту. Наряду с известными его применениями в качестве высококачественных монохроматоров рентгеновского излучения и эталонов атомногладкой поверхности для зондовой микроскопии, ВОПГ часто используют в качестве наиболее анизотропного и слоистого углеродного материала при синтезе и исследовании ионно-индуцированных наноструктур, модифицировании физико-химических свойств поверхности, в исследованиях поведения углеродных материалов в радиационных полях различной природы. В частности, известными являются применения ВОПГ при изучении физики
5
треков ионов высоких энергий в материалах, наноструктурирования поверхности многозарядными ионами, поведения углеродных материалов в плазме изотопов водорода и гелия в термоядерных установках.
Изучению процессов ионно-лучевого модифицирования структуры и морфологии поверхностного слоя, их влиянию на эмиссионные характеристики ВОПГ, влияния анизотропии свойств на ионно-индуцированные процессы в углеродных материалах посвящена данная диссертационная работа.
Цели и основные задачи работы
Целью работы является установление закономерностей и механизмов изменения структуры и морфологии поверхностного слоя ВОПГ при высоких флюенсах и различных температурах облучения ионами средних масс (Аг+, Ые*. Ы+) с энергией порядка десятков кэВ, влияния ионного облучения на
автоэмиссионные характеристики ВОПГ.
Для достижения поставленной цели решались следующие задачи.
1. Разработка методик и экспериментальное исследование закономерностей изменения структуры и морфологии поверхности ВОПГ при варьировании геометрии облучения, сорта и энергии ионов, температуры мишени.
2. Аналитические и компьютерные расчеты уровня первичных радиационных нарушений углеродных материалов, характеризующего стационарные условия высокодозового ионного облучения.
3. Экспериментальное исследование влияния ионного облучения на автоэмиссионные характеристики поверхности ВОПГ при различных температурах и углах падения ионов на мишень. Выявление возможностей получения путем ионно-лучевой обработки низковольтной полевой эмиссии ВОПГ и других углеродных материалов
4. Анализ экспериментально найденных структурно-морфологических изменений и эмиссионных свойств ВОПГ в рамках существующих механизмов и моделей ионно-индуцированных процессов с учетом анизотропии свойств материалов.
6
Научная новизна работы
В работе впервые получены следующие результаты.
1. Экспериментально обнаружен эффект глубокого модифицирования ВОПГ высокодозовым облучением ионами аргона при комнатной температуре, который проявляется в виде дефектного кристаллического слоя толщиной, многократно превышающей пробег ионов. Его образование приводит в процессе нагрева ВОПГ к пику на температурной зависимости ионно-электронной эмиссии у(7) при температуре ионно-индуцированного текстурного перехода 7* = 150 °С.
2. Экспериментально обнаружен, в отличие от других углеродных материалов, эффект глубокого модифицирования ВОПГ при высокодозовом облучении ионами аргона в локальной области температур при 7»250 °С. Эффект проявляется в виде развитой морфологии поверхности со столбчато-игольчатыми элементами высотой ~103 нм и с таким же по глубине проникновением внедрённого аргона. Предполагается, что этот эффект связан с анизотропным диффузионным массопереносом междоузельных атомов углерода.
3. Оба ионно-индуцированных эффекта глубокого модифицирования имеют пороги по энергии ионов. Экспериментально измеренные пороговые значения энергий для ионов аргона использованы для оценки пороговых уровней радиационных нарушений, вызывающих соответствующие эффекты.
4. Исследовано влияние облучения ионами аргона энергии 30 кэВ на полевую эмиссию ВОПГ. Найдено, что к появлению низковольтной автоэлектронной эмиссии приводит ионное облучение при повышенных (7=250 и 400 °С) температурах мишени. Спектры комбинационного рассеяния света показывают влияние на них температуры и геометрии, при которой производилось облучение, и проявляют особенности, коррелирующие с появлением низковольтной полевой эмиссии.
Научная и практическая ценность работы
1. Выявленные закономерности изменения структуры и морфологии поверхностного слоя ВОПГ важны для решения проблем радиационной
7
стойкости углеродных материалов в условиях высокодозового облучения и переменных температур в термоядерных исследованиях, при решении проблем деградации покрытий и элементов космических летательных аппаратов.
2. Установленные корреляции изменения выхода вторичных электронов со структурно-морфологическими изменениями в материалах, вызываемыми ионным облучением, расширяют возможности ионнопучковых методов исследования радиационных нарушений и мониторинга состояния облучаемой поверхности.
3. Экспериментально найденные эффекты глубокого ионно-лучевого модифицирования ВОПГ существенно расширяют понимание радиационных процессов в углеродных материалах. Методика и сами значения измеренных пороговых значений энергий эффектов глубокого модифицирования могут быть использованы в исследованиях стойкости углеродных материалов к ионному воздействию.
4. Результаты исследования влияния ионного облучения на автоэмиссионные характеристики поверхности ВОПГ могут быть использованы для получения низковольтных полевых эмиттеров.
5. Разработанный планшетный стенд лазерной гониофотометрии (ЛГФ) с возможностью регистрации пространственных распределений отраженного света расширяет возможности метода ЛГФ для исследования микрогеометрии поверхностей.
Достоверность основных положений и выводов обеспечивается использованием современной аппаратуры, надежных и независимых методов исследования, сравнением с результатами тестированных компьютерных программ моделирования взаимодействия атомных частиц с твердым телом, сравнением и согласием экспериментальных и расчетных данных с литературными, полученными при сопоставимых условиях.
8
На защиту выносятся следующие положения
1. Результаты экспериментального исследования структурных и морфологических изменений поверхностного слоя базисной грани (001) высокоориентированного пиролитического графита УПВ-1Т при высоких флюенсах 1018-1019 ион/см? облучения ионами аргона с энергиями от 8 до 30 кэВ в интервале температур мишени от комнатной до 400 °С Вывод о том, что отражающие ионно-индуцированные структурно-морфологические изменения в поверхностном слое ВОПГ температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии у (7), в отличие от соответствующих данных для поликристаллических графитов, могут различаться при измерении в процессе нагрева и охлаждения.
2. Основным различием зависимостей у(Т) при нагреве и охлаждении ВОПГ является наличие характерного пика при температуре Tt«150°C ионно-индуцированного текстурного перехода в процессе нагрева и его отсутствие на зависимости у(Т) при охлаждении. В условиях облучения при достаточно малых энергиях или достаточно большом угле падания ионов зависимости у (Г) при нагреве и охлаждении становятся близкими.
3. Сравнительный анализ структуры и морфологии измененного поверхностного слоя после высокодозового облучения ВОПГ ионами аргона различных энергий при фиксированных температурах мишени из интервала 20 - 400 °С, выбранных по данным мониторинга ионно-индуцированных изменений с помощью измерений зависимостей у(7). Вывод о том, что определяемая методами спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния (POP) глубина измененного слоя может на порядок величины превышать характерный пробег ионов в мишени, составляющий в зависимости от энергии ионов 10-40 нм. Эффекты глубокого модифицирования проявляются в узкой области температур при Т« 250 °С и при температурах, близких к комнатной (Г< Г{). Оба эффекта имеют порог по энергии ионов.
4. Глубокое модифицирование при облучении при Т «250°С приводит к развитой морфологии поверхности со столбчато-игольчатыми элементами высотой, соответствующей глубине внедренного аргона -103 нм по данным
9
спектрометрии POP, и может быть связан с анизотропным диффузионным массопереносом междоузельных атомов углерода.
5. Глубокое модифицирование при облучении при комнатной температуре приводит по данным спектрометрии POP в геометрии каналирования к дефектному кристаллическому слою толщиной, многократно превышающей пробег ионов. Его образование приводит в процессе нагрева ВОПГ к пику на температурной зависимости ионно-электронной эмиссии у(7) при температуре ионно-индуцированного текстурного перехода Т( * 150 °С.
6. Компьютерные и аналитические расчеты энергетической зависимости уровня первичных радиационных нарушений v в числе смещений на атом (СНА) при высокодозовом облучении и их использование для оценки пороговых уровней радиационных нарушений для эффектов глубокого модифицирования ВОПГ при комнатной температуре и 7 « 250 °С.
7. Результаты экспериментального исследования влияния облучения ионами аргона энергии 30 кэВ на автоэмиссионные характеристики поверхности ВОПГ и стеклоуглерода. Выводы о том, что к появлению низковольтной автоэлектронной эмиссии приводит облучение при повышенных (7-250 и 400 °С) температурах мишени. Спектры комбинационного рассеяния света показывают влияние на них температуры и геометрии, при которой производилось облучение, и проявляют особенности, коррелирующие с появлением низковольтной полевой эмиссии.
Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на российских и международных научных конференциях, совещаниях и семинарах: 9-ом Всероссийском семинаре «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики» (Москва, 2009); XL и XLII Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2010, 2012), XIX и XX Международных конференциях
«Взаимодействие ионов с поверхностью» (Москва, 2010, 2011); III
Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (И. Новгород, 2010); 24 International Conferences on Atomic Collisions in Solids (ICACS-24, Krakow, Poland, 2010); 20 International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 20, Itapema, Brasil, 2011); 9-10 Всероссийских научно-
Ю
технических конференциях «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (Москва, МАТИ, 2010-2011); XXXV-XXXVIII Международных молодежных научных конференциях «Гагаринские чтения» (Москва, МАТИ, 2009-2012), 16-18 Международных научно-технических конференциях студентов и аспирантов «Радиотехника, электроника и энергетика» (Москва, МЭИ, 2010-2012), XV конференции «Взаимодействие плазмы с поверхностью» (Москва, МИФИ, 2012), научных семинарах отдела ОФАЯ НИИЯФ МГУ.
Личный вклад Основные научные результаты диссертации получены при определяющем вкладе автора, при личном участии в планировании и проведении экспериментов и обсуждении полученных результатов. Автором разработан планшетный стенд лазерной гониофотометрии, проведены компьютерные и аналитические расчеты уровня первичных радиационных нарушений.
Основные результаты диссертации отражены в работах [9-24].
Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первой главе дан аналитический обзор литературы по теме диссертации. Рассмотрены вопросы экспериментального и теоретического изучения закономерностей изменения морфологии и структуры поверхности при ионном облучении, учета накопления дефектов и развивающегося на поверхности материалов при ионно-лучевом воздействии рельефа, оказывающего значительное влияние на коэффициенты физического распыления и ионно-электронной эмиссии. Особое внимание обращено на работы, в которых изучались вопросы взаимосвязи эмиссионных процессов, изменения структуры и морфологии поверхностного слоя ВОПГ, обусловленные бомбардировкой атомарными и молекулярными ионами азота и ионами инертных газов с энергией в десятки килоэлектронвольт. Во второй главе приводится описание экспериментальной аппаратуры, стандартных и разработанных методов исследования, аналитический и компьютерный методы оценки уровня первичных радиационных повреждений в материале с учетом движения границы поверхности при ее распылении. Третья глава посвящена исследованиям ионно-индуцированных процессов, влияющих на морфологию,
11
структуру и разупорядочение поверхностных слоев ВОПГ при облучении ионами аргона. Экспериментально исследуются температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии при облучении ВОПГ ионами аргона в циклах нагрев-охлаждение мишени при различных энергиях и углах падения ионов. Рассматривается влияние значения фиксированной температуры облучаемой мишени, энергии и угла падения ионов на морфологию поверхности и структуру поверхностного слоя ВОПГ. Методом резерфордовского обратного рассеяния исследуются профили внедрения аргона по глубине при различных температурах облучения и энергии бомбардирующих ионов квазимонокристалла графита, а также, в режиме каналирования исследуется глубина разупорядоченного слоя для различных условий облучения. В четвёртой главе приводятся результаты моделирования и расчёты уровня первичных радиационных нарушений углеродных материалов для различных бомбардирующих ионов - аргона, неона и азота - различных энергий, а также оценка уровня первичных радиационных нарушений, вызывающего эффекты глубокого модифицирования при комнатной температуре облучения и температуре Т = 250 °С. Пятая глава посвящена исследованию автоэлектронной эмиссии с поверхности квазимонокристалла графита, модифицированной в результате облучения ионами аргона при различных температурах ВОПГ при нормальном и наклонном падении ионов. Структура поверхностных слоёв, исследуемых на автоэмиссионные свойства, изучалась также методом спектроскопии комбинационного рассеяния.
12
- Київ+380960830922