Введение
Глава 1. Принципы Iтехнологии .
1.1. Основные технологические этапы I.
1.2. Основные свойства синхротронного излучения, применительно к
глубокой рентгенолитографии.
1.3. Принципы построения I станции.
1.4. Классические принципы изготовления рентгеношаблонов
1.5. Материалы, применяемые в I процессе.
Глава 2. Описание Iтехнологического комплекса на источнике синхротронного излучения ВЭГШ3.
2.1. Компоновка станции глубокой рентгенолитографии I на
накопителе ВЭПП3
2.2. Физикоматематическое моделирование станции I на
накопителе ВЭПП3
2.2.1. Характеристики СИ на станции I.
2.2.2. Режимы экспонирования
2.3. Оборудование для обработки образцов. .
Глава 3. Создание и исследование рентгеношаблонов для глубокой рентгенолитографии .
3.1. Изготовление рентгеношаблонов
3.2. Тестирование рентгеношаблонов
Глава 4. Изготовление микроструктур методом глубокой рентгенолитографии
4.1. Микроструктурированные Iизделия для прикладных
исследований.
4.2. Микрофлюидные системы
4.3. Изготовление методами I микрофяюидных систем.
4.4. Элементы квазиоптики для излучения ТГцдиапазоиа
4.5. Изготовление элементов квазиоптики для терагерцового излучения методом I
4.6. Элементы микрооптики для видимого диапазона
4.7. Изготовление микропрофилированных оптических элементов методом I
Заключение
Литература
- Київ+380960830922