Ви є тут

Получение и исследование перестраиваемой генерации на кристаллах LiF:F-2 при мощном лазерном и ламповом возбуждении

Автор: 
Морозов Владимир Петрович
Тип роботи: 
Кандидатская
Рік: 
1985
Артикул:
325796
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
Гяава I. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ ЛАЗЕРЫ ВИДИМОГО И БЛИЖНЕГО
ИК ДИАПАЗОНОВ . .
1,1. Лазеры на растворах органических красителей
и полупроводниковые лазеры ТЗ
Т.2. Перестраиваемые лазеры на основе кристаллов
1.3. Радиационноокрашенные кристаллы
их свойства и перестраиваемые лазеры на их основе
Глава П. СПЕКТРАЛЬНОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ГЕНЕРАЦИОННЫЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ КРИСТАЛЛОВ ЛРГ
2.1. Спектральнолюминесцентные характеристики
кристаллов . при низких плотностях возбуждения
2.2. Кинетика люминесценции и генерации кристал
лов 1 . Нелинейная зависимость интенсивности люминесценции V ЦО при мощном возбуждении на Я. 0,4 мкм
2.3. Усилители на кристаллах i1 .
2.4. Абсорбционные характеристики кристаллов
1,Р при высокоинтенсивном возбуждении
2.5. Генерационные характеристики лазеров на кристаллах i Р р в неселективном резонаторе
при высоких уровнях возбуждения
Глава Ш. МОЩНЫЕ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ
ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ иРГ
3.1. Генерационные характеристики кристаллов
при различных схемах поперечного возбуждения
3.2. Выбор схемы селективного резонатора .
3.3. Высокоэффективный перестраиваемый лазер на
кристалле с моноимпульсной накачкой
Глава У. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ
С НАКАЧКОЙ ИМПУЛЬСНЫМИ ЛАМПАМИ
4.1. Усиление и генерация на кристаллах
при ламповом возбуждении и комнатной температуре .
4.2. Спектральнокинетические и энергетические особенности частотнопериодического режима генерации лазера на кристалле
при ламповой накачке
4.3. Теоретический расчт параметров генерации
лампового лазера на кристаллах в
условиях широкополосного возбуждения
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА