Содержание
Обозначения и сокращения.
Введение
Глава 1. Обзор актуального состояния криогенных систем
измерений квантовых объектов
1.1. Криогенные частотноселективные устройства
1.1.1. Анализ криогенных ФНЧ на основе длинного кабеля витая пара
1.1.2. Анализ криогенных фильтров нижних частот на основе металлических порошков
1.1.3. Анализ криогенных полоснопропускающих фильтров с широкой полосой заграждения.
1.2. Криогенные усилители СВЧ для квантовых измерений
1.2.1. Анализ современных криогенных усилителей СВЧ
1.3. Криогенные усилители СВЧ на основе ПТ СКВИДов
1.3.1. Анализ криогенных усилителей на основе ПТ СКВИДа
1.3.2. Анализ собственных шумов Джозефсонофских контакт
Глава 2. Криогенные фильтры с широкой полосой заграждения для
высокочувствительных измерительных систем.
2.1. Частотноселективные цепи на основе порошков
2.1.1. Система измерения кубита с радиочастотным
резонатором
2.1.2 Экспериментальные характеристики классических фильтрующих структур
2.1.3 Порошковые фильтры.
2.2. Широкополосный СВЧ полоснопропускающий фильтр.
2.2.1. Система измерения кубита, связанного с СВЧ резонатором
2.2.2. Проектирование ППФ с широкой полосой заграждения
2.2.3. Анализ Г образных линий.
2.2.4. Экспериментальные характеристики
2.3. Выводы к главе 2.
Глава 3. Криогенные малошумящие полупроводниковые усилители.
3.1. Малошумящий комнатный инструментальный
усилитель
3.1.1. Характеристики операционного усилителя ЕЬ.
3.1.2. Реализация инструментального усилителя
3.1.3. Экспериментальные характеристики
3.2. Криогенный усилитель на основе гетероструктурного биполярного 8Юе транзистора
3.2.1. Модель гетероструктурного биполярного транзистора
3.2.2. Моделирование криогенного усилителя.
3.2.3. Исследование высокочастотной стабильности усилителя
3.2.4. Реализация усилителя
3.2.5. Стабильный малошумящий источник питания криогенного усилителя
3.2.6. Экспериментальные характеристики Ку и
3.2.7. Экспериментальные характеристики напряжения шума и шума тока. Шумовая температура.
3.3. Выводы к Главе 3.
Глава 4. Криогенный ВЧ усилитель на основе ПТ СКВИД.
4.1. ПТ СКВИД усилитель.
4.1.1. Модель ПТ СКВИД усилителя.
4.1.2. Анализ источников шума ПТ СКВИДа
4.1.3. Анализ источников шума усилителя на основе ПТ СКВИД
4.1.4. Схемотехническая реализация усилителя.
4.2. Экспериментальные характеристики.
4.2.1 Схема измерения
4.3. Заключение.
Глава 5. Исследование структуры субмикронных Джозефсоновских контактов
А 1А 1хОуА 1
5.1. Технология изготовления субмикронных алюминиевых контактов
5.2. Экспериментальные исследования контактов.
5.2.1. Система измерения.
5.2.2. Система охлаждения
5.2.3. Экспериментальные характеристики
5.3. Микроскопия диэлектрического барьера А1хОу
5.3.1. Экспериментальное оборудование.
5.3.2. Микроскопия высокого разрешения барьера А1хОу
5.4. Выводы к Главе 5
Заключение.
Список использованных источников
- Київ+380960830922