- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1984
Артикул:
452765 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами
- Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
- Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
- Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2?S4 и ZnAl2?S4