- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
Тип роботи:
Докторская
Рік:
1983
Артикул:
452780 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната
- Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
- Физические свойства сложных кристаллов, обусловленные длиннопериодной структурой
- Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
- Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
- Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
- Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах
- Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe
- Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
- Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза