- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
Тип роботи:
Докторская
Рік:
1983
Артикул:
452780 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение
- Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
- Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
- Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
- Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
- Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов
- Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений
- Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия