- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
Тип роботи:
Докторская
Рік:
1983
Артикул:
452780 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
- Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS
- Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами
- Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) : с привлечением теории непересекающихся зон