Ви є тут

Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений

Автор: 

Осинский Андрей Владимирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000210285

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
• Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
• Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
• Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии
• Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия
• Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе
• Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
• Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов
• Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
• Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов