Ви є тут

Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений

Автор: 

Осинский Андрей Владимирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000210285

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии
• Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
• Поверхностные упругие, магнитостатические и магнитоупругие волновые процессы в неоднородных твердых телах
• Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках
• Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
• Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Дихроизм и двулучепереломление растворов красителей, наведенные пикосекундными световыми импульсами, и их использование
• Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
• Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ
• Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x