Ви є тут

Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений

Автор: 

Осинский Андрей Владимирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000210285

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
• Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
• Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
• Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
• Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур
• Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах
• Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe
• Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках
• Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа