Ви є тут

Моделирование и исследование полупроводниковых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением и приборов на их основе

Автор: 

Новиков Сергей Геннадьевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206070

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов
• Моделирование электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами
• Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
• Нелинейное взаимодействие модулированного света и переменного электрического поля в полупроводниковых фотоприемниках
• Разработка основ технологии электронно-лучевой обработки боролантановых стекол для изготовления компонентов оптико-электронных приборов искусственных спутников Земли
• Идентификация фаз в системах Ba-Bi-O и K-Ba-Bi-O методами просвечивающей электронной микроскопии
• Разработка технологических основ изготовления и исследование характеристик автоэмиссионных наноструктур на основе пленок графена на карбиде кремния
• Функциональная электроника
• Моделирование туннельно-резонансного ЯМР квантового компьютера на основе твердотельных наноструктур
• Разработка и исследование эмиссионной среды для твердотельного автоэмиссионного диода на основе гетероструктуры кремний/алмаз