Ви є тут

Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x

Автор: 

Можаев Петр Борисович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213907

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений
• Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов X-диапазона для систем радиолокации
• Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов
• Разработка методик проектирования преобразователей частоты в интегральном исполнении
• Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
• Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
• Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия
• Разработка измерительных программ для ИС К174 с применением методов электрофизического диагностирования в условиях массового производства
• Разработка и оптимизация конструктивных и технологических решений туннельных нанопреобразователей
• Фотоиндуцированные и релаксационные процессы в пленках оксида титана