Ви є тут

Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла

Автор: 
Фомина Лариса Валерьевна
Тип роботи: 
Дис. канд. хим. наук
Рік: 
2003
Артикул:
506669
179 грн
Додати в кошик