Ви є тут

Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла

Автор: 

Фомина Лариса Валерьевна

Тип роботи: 

Дис. канд. хим. наук

Рік: 

2003

Артикул:

506669

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Исследование и прогнозирование равновесия позиционной изомеризации алкилбензолов и их функциональных производных
• Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения MexPb1-xS (Me - Zn, Cd, Cu, Ag)
• Исследование влияния условий обработки ZnO на концентрации собственных дефектов и обусловленные ими люминесцентные свойства
• Физико-химические закономерности процессов, протекающих в электролюминофорах постоянного тока
• Координационные соединения железа(II) и меди(II) с дибазолом и альбендазолом
• Ядерная магнитная релаксация и самодиффузия молекул ЭББА и МББА в предпереходной (изотропная жидкость-нематик) области
• Низкотемпературное окисление продуктов термообработки бурых углей и пути его подавления
• Диффузия и структурообразование в различных областях диаграмм фазовых состояний полимерных систем
• Квантовохимическое исследование механизмов миграции атомов водорода в гетероатомных элементоорганических системах
• Влияние донорно-акцепторных свойств поверхности функциональных наполнителей на характеристики композитов с циановым эфиром поливинилового спирта