- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла
Тип роботи:
Дис. канд. хим. наук
Рік:
2003
Артикул:
506669 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрохимические свойства аммонийселективных мембран, содержащих нейтральные комплексоны
- Синтез и свойства нанодисперсного полупроводникового оксида индия, легированного оловом
- Влияние электронных и геометрических характеристик обменных кластеров на их магнитные свойства
- Рентгеноструктурное исследование комплекса рибосомного белка TL5 с фрагментом рибосомной 5S РНК
- Специфические взаимодействия и роль стерических эффектов при агрегации и осаждении асфальтенов
- Физико-химические свойства легированных редкоземельными металлами алюминиево-магниевых сплавов
- Фазовые равновесия и термодинамические свойства бинарных систем, образованных спиртами и сложными эфирами алифатических кислот
- Физико-химические процессы, инициированные электрическим полем и γ-облучением в кристаллах азида серебра
- Роль стерических и электронных факторов в формировании строения и свойств координационных и органических соединений
- Исследование комплексообразования ионов W(VI), W(V) в оксидногалогенидных и ионов S-элементов в карбонатнохлоридных расплавах методами ИК и электронной спектроскопии