ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ СИСТЕМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ
ОПТИМИЗАЦИИ ПЛАНАРНЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ
1.1. Выбор поисковых методов
1.2. Метод случайного поиска
1.3. ЛПпоиск.
1.4. Последовательности Холтона.
1.5. Генетические алгоритмы.
1.6. Выводы по главе
Глава 2. РЕАЛИЗАЦИЯ САПР ПАССИВНЫХ СВЧ УСТЮЙСТВ
2.1. Модель микрополосковой линии.
2.2. Модель многосвязных линий передачи.
2.3. Расчет Бпараметров многосвязных планарных линий МПЛ.
2.4. Учет анизотропии диэлектрической подложки сапфира.
2.5. Алгоритм расчета пассивных СВЧ устройств на многосвязных планарных линиях передачи
2.6. Программа расчета Микрополосковые фильтры
2.7. Примеры расчета характеристик пассивных СВЧ устройств.
2.8. Оптимизация топологической структуры микрополосковых фильтров и резонаторов.
2.9. Выводы по главе
ГЛАВА 3. ИЗВЛЕЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ
ПОВЕРХНОСТНОГО ИМПЕДАНСА ВТСП ПЛЕНОК
3.1. Использование ВТСП в СВЧ технике
3.2. Модель поверхностного сопротивления пленки высокотемпературного сверхпроводника
3.3. Реализация программы извлечения модельных параметров ВТСП пленок
3.4. Анализ чувствительности модели поверхностного импеданса ВТСП пленок к изменению параметров
3.5. Примеры извлечения параметров модели поверхностного импеданса ВТСП пленок
3.6. Выводы по главе
ГЛАВА 4. ИЗВЛЕЧЕНИЕ МОДЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
4.1. Основные свойства сегнетоэлектриков и их применение в СВЧ электронике
4.2. Феноменологическая модель диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической пленки.
4.3. Расчет емкости сегнетоэлектрического планарного конденсатора.
4.4. Алгоритм и реализация программы извлечения модельных параметров тонкой сегнетоэлектрической пленки из экспериментальных характеристик.
4.5. Примеры извлечения модельных параметров
4.6. Выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922