Ви є тут

Моделирование спектров фотоэмиссии из ультратонких пленок

Автор: 
Лесин Сергей Анатольевич
Тип роботи: 
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік: 
2006
Артикул:
16263
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Введение
1 Литературный обзор
1.1 Метод фотоэлектронной спектроскопии
1.1.1 Введение и история.
1.1.2 Режимы фотоэмиссии .
1.2 Размерноквантованные состояния в ультратонких металлических пленках
1.2.1 Введение
1.2.2 Геометрическая структура пленки.
1.2.3 Двумерные кристаллические структуры.
1.2.4 Связанные состояния в потенциальной яме конечного размера
1.2.5 Модель аккумуляции фаз
1.3 Теория фотоэмиссии
1.3.1 Введение и математическая постановка задачи.
1.3.2 Модель поверхностной фотоэмиссии
1.3.3 Модели объемной фотоэмиссии.
1.4 Теория электронной структуры периодических систем
1.4.1 Математическая постановка задачи.
1.4.2 Уравнение Шредингера для периодического потенциала .
1.4.3 Теорема БлохаФлоке.
1.4.4 Приближенные подходы к решению уравнения Шредингера
с периодическим потенциалом
2 Модели описания фотоэмиссии
2.1 Расчет фотоэмиссии из ультратонких пленок в приближении
сильной связи. Однозонная модель
2.1.1 Электронные состояния в ультратонкой металлической пленке
Ч 2.1.2 Расчет фотоэмиссии .
Ш 2.1.3 Учет конечного времени жизни фотоэлектрона
2.2 Расчет фотоэмиссии из ультратонких пленок в приближении
сильной связи. Полное валентное приближение
2.2.1 Описание модели
2.2.2 Геометрия пленок кубической сингонии
2.2.2.1 Кристаллографическое направление 0.
у 2.2.2.2 Кристаллографическое направление 0.
ф 2.2.2.3 Кристаллографическое направление 1.
2.2.3 Гамильтониан системы и параметризация метода
2.2.4 Решение задачи на собственные значения
2.2.5 Расчет плотности состояний и нормализация параметров . .
2.2.6 Расчет фотоэмиссии
3 Результаты и их обсуждение
3.1 Моделирование спектров фотоэмиссии из размерноквантованных состояний в системе V0 в рамках однозонной
щ модели
3.2 Моделирование спектров фотоэмиссии из размернокванто
ванных состояний в системах V и АдРе0 в рамках метода сильной связи в валентном приближении
ц 3.2.1 Математический анализ модели
3.2.2 Зависимость электронных свойств тонких пленок от толщины
3.2.3 Спектры фотоэмиссии в системе АУ0
3.2.4 Спектры фотоэмиссии в системе АдГе0
3.2.5 Сравнение метода сильной связи в валентном приближении
с однозонной моделью сильной связи.
Основные результаты и выводы
Список литературы