ВВЕДЕНИЕ
1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.
1.1. АНАЛИЗ МЕТОДОВ ФОРМИРОВАНИЯ СОЕДИНИТЕЛЬНЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ МИКРОСТОЛБОВ ДЛЯ СБОРКИ ИСПОДЛОЖКА.
1.1.1. Формирование оловянносвинцовых микростолбов
1.1.1.1. Метод нанесения припоя с применением ультразвука без применения электрического тока.
1.1.1.2. Метод электроосаждения припоя
1.1.1.3. Метод вакуумного напыления.
1.1.2. Формирование индиевых микростолбов.
1.1.2.1. Формирование индиевых столбов методом вакуумного напыления
1.1.2.2. Формирование индиевых столбов методом двустадийного вакуумного напыления
1.2. МЕТОДЫ И ПРОЦЕССЫ ДЛЯ СОЕДИНЕНИЯ ИСПОДЛОЖКА
1.2.1. Метод соединения проволокой
1.2.2. Автоматизированное соединение на ленточном носителе
1.2.3. Метод перевернутого кристалла
1.2.3.1. Процесс соединения с помощью токопроводящих столбиков
1.2.3.2. Процесс соединения с помощью термокомпрессии.
1.2.3.3. Процесс термозвукового соединения
1.2.3.4. Процесс соединения с помощью клеев изотропных, анизотропных, непроводящих.
1.2.3.5. Соединение с помощью сварки давлением
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
2. РАЗРАБОТКА СПОСОБОВ ФОРМИРОВАНИЯ ИНДИЕВЫХ КОНТАКТОВ
2.1. Разработка способа формирования индиевых контактов
на контактных площадках приемника ИК излучения площадью 0x0 мкм.
2.2. Разработка способа изготовления индиевых контактов
на контактных площадках приемника ИК излучения площадью
2.2.1. Отработка режимов электрохимического осаждения индия на контактные площадки ИС.
2.2.2. Процесс электрохимического осаждения индия на контактные площадки ИС
3. ДЕФОРМАЦИЯ ИНДИЕВЫХ КОНТАКТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ПОГРУЖЕНИЯ КРИСТАЛЛА В РАСПЛАВ ПРИ СЖАТИИ
3.1. Исследование индиевых полусфер сформированных на контактных площадках площадью 0x0 мкм.
3.2. Исследование индиевых полусфер сформированных на контактных площадках площадью x мкм.
3.3. Исследование индиевых полусфер сформированных на контактных площадках площадью x мкм.
4. СБОРКА ПРИЕМНИКОВ ИК ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОДЛОЖКАМИ
4.1. Сборка приемников ИК излучения с керамическими подложками методом перевернутого кристалла
4.2. Сборка приемников ИК излучения с сапфировыми подложками методом перевернутого кристалла
5. ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА СПОСОБА МОНТАЖА ПРИЕМНИКОВ ИК ИЗЛУЧЕНИЯ
5.1. Связь параметров фотоприемников с технологией монтажа кристалла.
5.2. Расчет числа и площади контактных площадок приемника ИК излучения для отведения тепла с заданным перепадом температуры.
5.3. Сравнение изменений температуры ФЧ ИС в зависимости от подводимой мощности при разных способах сборки
5.4. Термоциклические испытания.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922