Оглавление
Введение
I. Основы теории методов контроля твердофазной диффузии.
1.1.Основные математические модели и параметры контроля процессов диффузии
1.2. Принципы построения методов расчета и контроля диффузионных процессов.
1.3. Анализ современных методов и средств контроля
параметров диффузии
1.4. Методы определения концентрационной зависимости коэффициента диффузии.
1.5. Способы проведения диффузии в полупроводниках и
металлах.
1.6. Выводы
II. Теоретическое обоснование неразрушающих методик контроля термодинамических параметров твердофазной диффузии
2.1. Определение параметров диффузии по динамике изменения поверхностной концентрации примеси
2.2. Неразрушающий метод определения концентрационной зависимости коэффициента диффузии.
2.3. Диффузионный метод создания концентрационных профилей
с максимумом в глубине образца.
2.4. Общие принципы построения технологий неразрушающего контроля параметров твердофазной диффузии
2.5. Выводы
III. Контроль параметров диффузии бора и фосфора в приповерхностной области ионнолегированного кремнии.
3.1. Метод ионного легирования и начальное распределение примеси
3.2. Принципы построения технологий неразрушающего контроля параметров диффузии в полупроводниках.
3.3. Определение термодинамических параметров диффузии бора и фосфора в ионнолегированном кремнии.
3.4. Контроль поверхностных электрофизических параметров полупроводников методом измерения разности поверхностных потенциалов
3.5. Выводы.
IV. Контроль параметров диффузии в приповерхностной области ионноазотированных металлов.
4.1. Принципы построения технологий неразрушающего контроля термодинамических параметров диффузии в ионноазотированных металлах
4.2. Определение термодинамических параметров диффузии ионноазотированного вольфрама.
4.3. Определение объемного коэффициента диффузии азота
в монокристаллическом вольфраме
4.4. Определение термодинамических параметров диффузии ионноазотированного молибдена.
4.5. Выводы.
V. Математическое моделирование диффузионных процессов в ионнолегированных материалах
5.1. Обоснование феноменологической модели двухпоточной диффузии.
5.2. Численное моделирование процесса многопоточной
диффузии
5.3. Пример расчета параметров диффузии бора и фосфора в приповерхностной области ионнолегированного кремния.
5.4. Пример расчета пара.метров диффузии азота в приповерхностной области ионнолегированного вольфрама
5.5. Определение параметров радиационных дефектов по диффузионным данным
5.6. Выводы.
Заключение
Основные результаты и выводы.
Список цитируемой литературы
- Київ+380960830922
