Ви є тут

Спектроскопия многозарядных ионов с заполняющейся 4d оболочкой

Автор: 
Чурилов Сергей Семенович
Тип роботи: 
дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік: 
2006
Артикул:
3625
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Методики анализа спектров многозарядных ионов.
1.1. Источники возбуждения спектров.
1.2. Спектральная аппаратура высокого разрешения.
1.3. Обработка спектрограмм.
1.4. Теоретические расчеты спектров многозарядных ионов.
1.5. Классификация спектральных линий и критерии
корректности анализа спектров.
Глава 2. Спектры многозарядных палладиеподобных ионов.
2.1. Структура уровней Рподобных ионов.
2.2. Исследование резонансных переходов в спектрах
Рподобных ионов.
2.3. Анализ переходов между возбужденными конфигурациями
в спектрах Рподобных ионов.
2.3.1. Исследование высоковозбужденных конфигураций
в спектрах ЭЬ VIIVIII.
2.3.2. Анализ спектров Хе IX и Сб X.
2.3.3. Анализ спектров Ва XI, Ьа XII и Се XIII.
2.3.4. Анализ спектров Рг XIV и 6 XV.
2.4. Обобщение спектроскопических данных для изоэлектронной
последовательности Р I.
Глава 3. Спектры ионов изоэлектронных последовательностей I и С I.
3.1. Проблемы селекции линий в спектрах многозарядных ионов.
3.2. Анализ спектров пдбныx ионов от БЬ V до Ш XIV.
3.3. Анализ спектров многозарядных Сподобных ионов.
3.3.1. Спектр Хе VII.
3.3.2. Спектр Ва IX.
3.3.3. Спектр ЬаХ.
3.3.4. Спектр Се XI.
3.3.5. Спектры Рг XII и 1XIII.
Глава 4. Спектры 41 ионов ксенона в дальней ВУФ области.
4.1. Изученность спектров ионов с заполняющейся 4с1 оболочкой.
4.2. Специфические особенности конфигураций и 4р1т1.
4.3. Спектры ионов ксенона в дальней ВУФ области.
4.4. Анализ Хе X и изоэлектронных спектров IIX Ва XII.
4.5. Анализ спектра Хе XI и изоэлектронного спектра IX.
Глава 5. Спектры 4с1 ионов олова и индия в дальней ВУФ области.
5.1. Общая характеристика спектров ионов олова и индия
в области 00 А.
5.2. Анализ конфигураций 4с4Г и 4р8 в спектрах
1пУи8пУШ.
5.3. Анализ спектров 1п ХПХШ и Бп Х1Х1У.
5.4. Классификация переходов в сложных спектрах
1пУШХ1и8п1ХХИ.
5.5. Диагностика плазмы искрового источника для ВУФ
литографии.
5.5.1. Измерение электронной температуры штазмы.
5.5.2. Определение электронной плотности плазмы.
5.5.3. Оценки оптической толщины излучающей плазмы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ