Содержание
Введение
Глава 1. Теоретическое описание системы полупроводникион
редкоземельного элемента.
1.1. Некоторые свойства редкоземельных элементов
1.2. Ион редкоземельного элемента в матрице
1.3. Иттербий в У1 полупроводниках
1.4. Расчт положения линий, соответствующих экситонам, локализованным в квантовых ямах структур на основе 2п8егп1.хСс1х8е.
1.4.1. Аппроксимация параметров материала 2п.хСс1х8е.
1.4.2. Решение задачи о нахождении уровней энергии носителей, локализованных в квантовой яме.
1.4.3. Вычисление энергии оптического перехода
Глава 2. Методы изготовления и исследования
полупроводниковых структур.
2.1. Получение полупроводниковых слоев, легированных
редкоземельными элементами в процессе молекулярнолучевой эпитаксии
2.2. Ионное внедрение редкоземельных элементов в монокристаллы полупроводников
2.3. Огжиг образцов
2.4. Методы исследования.
Глава 3. Экспериментальная часть. Исследование методом фотолюминесценции структур гпТе, гп8е2пСе
ЗЛ.гпТе
3.1.1. Получение структур 7пТеУЬСаА8 методом молекулярно лучевой эпитаксии.
3.1.2. Влияние отжига на спектры характеристического излучения ионов УЬ
3.1.3. Влияние качества кристаллической матрицы на спектры характеристического излучения ионов УЬ
3.1.4. Экспериментальное исследование температурных зависимостей спектров РЗ люминесценции в структуре 2пТеУЬ0.
3.2. гпЗеггпсаБе
3.2.1. Описание исследованных структур
3.2.2. Результаты исследования образцов структур трх типов.
3.2.3. Оптимальные технологические условия для наблюдения характеристического излучения РЗ ионов и излучения экситонов.
Глава 4. Обсуждение результатов.
4.1.2пТе.
4.2. ХпБегпСаЗе
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922