Ви є тут

Анализ и моделирование коммутационных процессов в транзисторных преобразователях

Автор: 
Лебедев Алексей Геннадиевич
Тип роботи: 
диссертация кандидата технических наук
Рік: 
2009
Кількість сторінок: 
295
Артикул:
23214
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Введение.
1. Модели мощных диодов и определение их параметров
1.1 Однозвенная кусочнолинейная модель диода и определение се параметров
1.1.1 Однозвенная кусочнолинейная модель
1.1.2 Анализ выключения по кусочнолинейной модели.
1.1.3 Определение параметров кусочнолинейной модели.
1.1.4 Расчет характеристик выключения по кусочлолииейной
модели
1.2. Однозвенная нелинейная модель диода и определение ее параметров.
1.2.1 Однозвенная нелинейная модель
1.2.2 Определение параметров нелинейной модели.
1.2.3 Расчет выключения по нелинейной модели.
1.2.4 Однозвенная встроенная iмодель.
1.2.5 Определение параметров iмодели в i
1.3. Двухзвениая кусочнолинейная модель диода и определение се параметров.
1.3.1 Двухзвениая кусочнолинейная модель
1.3.2 Анализ выключения по двухзвенной кусочнолинейной модели.
1.3.3 Определение параметров кусочнолинейной модели.
1.4. Двухзвениая нелинейная модель диода и определение ее параметров.
1.4.1 Двухзвенная нелинейная модель
1.4.2 Расчет выключения по двухзвенной нелинейной модели.
1.5. Двухзвениая iмодель диода и определение ее параметров.
1.5.1 Двухзвенная iмодель
1.5.2 Двухзвенная iмодель фирмы Ii.
1.5.3 Расчет выключения по двухзвенной iмодели.
1.5.4 Сравнение энергии выключения по двухзвенной и однозвенной модели.
1.6. Выводы по главе.
2. Модели биполярных транзисторов и определение их параметров
2.1. Кусочнолинейная модель биполярного транзистора и определение параметров
2.1.1. Кусочнолинейная модель.
2.1.2. Анализ по кусочнолинейной модели. Включение биполярного транзистора
2.1.3. Анализ по кусочнолинейной модели. Выключение биполярного транзистора. .
2.1.4. Определение параметров кусочнолинейной модели
2.2 Передаточная модель биполярного транзистора
2.2.1 Передаточная модель
2.2.2 Определение параметров передаточной модели.
2.2.3.Характсристики передаточной модели.
2.3. Модифицированная передаточная модель биполярного транзистора и определение параметров.
2.3.1. Описание модифицированной передаточной модели.
2.3.2.Определение параметров модифицированной передаточной модели
2.3.3. Характеристики модифицированной передаточной модели.
2.4. iмодель биполярного транзистора.
2.4.1 iмодсль
2.4.2. Определение параметров iмодели
2.4.3.Характеристики модели ГуммеляПуна.
2.4.4. Определение параметров iмодели в ii
2.4.5. Определение параметров iмодели мощного высоковольтного биполярного транзистора.
2.5 Выводы но главе
3.1 Нелинейная модель МДПтранзистора
3.1.1 Нелинейная модель
3.1.2 Определение параметров нелинейной модели.
3.1.3 Расчет по нелинейной модели и сопоставление результатов
3.2 Кусочнолинейная модель МДПтранзистора и определение ее параметров
3.2.1 Кусочнолинейная модель
3.2.2 Анализ коммутационных процессов в ключе с резистивной нагрузкой
3.2.3 Определение параметров кусочнолинейной модели.
3.3 Реализация различных аппроксимаций нелинейной емкости затворсток в i
3.3.1 Встроенная в iмодель.
3.3.2 Модель емкости фирмы i и ее параметры
3.3.3 Модель емкости фирмы Ii ii и се параметры
3.3.4 Модель емкости фирмы i и ее параметры
3.3.5 Модель емкости с применением функции дифференцирования .
3.3.6 Модель емкости фирмы Ii и определение сс параметров
3.4. Модифицированная iмодель МДПтранзистора
3.4.1 Модифицированная МДПТ
3.4.2 Методика определения параметров средствами i
3.4.3 Определение параметров МДПТ по эксперимен тальным данным
3.5. Модель МДПтранзистора с тенлозависимыми параметрами
3.5.1. Описание теплозависмой модели МДПтранзистора
3.5.2. Определение параметров теплозависимой модели.
3.6 Выводы по главе
4. Работа мощных МДП транзисторов на токовую нагрузку
4.1 Численный анализ коммутационных процессов МДПтранзистора при работе на токовую нагрузку по нелинейной и кусочнолинейной моделям.
4.2 Аналитический анализ коммутационных процессов МДПтранзистора при работе на токовую нагрузку по кусочнолинейной модели.
4.3 Анализ коммутационных процессов МДПтранзистора семейства при работе на токовую нагрузку в i
4.4 Анализ коммутационных процессов в экспериментальной схеме.
4.5 Выводы по главе.
5. Модели биполярных транзисторов с изолированным затвором и определение их параметров
5.1.1 Встроенная в iмодель БТИЗ.
5.1.2 Составная iмодсль БТИЗ
5.2 Кусочнолинейная модель БТИЗ и определение ее параметров
5.2.1 Кусочнолинейная модель I
5.2.2 Работа БТИЗ на токовую нагрузку.
5.2.3 Определение параметров кусочнолинейной модели
5.3. Составная iмодель БТИЗ и определение се параметров.
5.3.1 Определение параметров составной iмодель БТИЗ в МС
5.3.2 Определение параметров iмодели БТИЗ в ii.
5.3.3. Определение параметров модели БТИЗ по экспериментальным данным.
5.4 Выводы по главе.
6. Практическое применение методов моделирования
6.1. Расчет цепей формирования траектории рабочей точки транзисторов
6.2. Расчет параметров моделей тепловых цепей.
6.2.1 Модель тепловой цепи
6.2.2 Определение параметров тепловой цепи в МС.
6.2.3 Определение параметров тепловой цепи с помощью i ii.
6.3 Применение теплозависимой модели с обратной тепловой связью для расчета пиковой температуры ключа на МДП транзисторе
6.4. Примеры расчета потерь в компонентах ключевого источника электропитания
6.4.1 Общее описание КИП.
6.4.2 Расчет установившегося режима в стабилизаторе напряжения
6.4.3 Расчет потерь в силовых компонентах стабилизатора напряжения
6.4.4 Расчет установившегося режима в корректоре коэффициента мощности
6.4.5 Имитационный расчет потерь в силовых компонентах корректора коэффициента
мощности.
6.4.6 Аналитический расчет потерь в полупроводниковых компонентах корректора
коэффициента мощности при помощи справочных зависимостей
6.5. Выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ ИСТОЧНИКИ
Приложение 1.1 Определение параметров кусочнолинейной модели.
Приложение 1.2 Определение параметров нелинейной модели.
Приложение 1.3 Определение параметров iмодели в i
Приложение 1.4 Анализ выключения но двухзвенной кусочнолинейной модели.
Приложение 1.5 Определение параметров двухзвснноЙ кусочнолинейной модели
Приложение 1.6 Справочные данные диода
Приложение 1.7 Справочные данные диода 6
Приложение 1.8 Справочные данные диода 0.
Приложение 1.9 Модель диода I от Ii
Приложение 2.1. Определение параметров кусочнолинейной модели
Приложение 2.2. Определение параметров передаточной модели
Приложение 2.3 Характеристики модифицированной передаточной модели
Приложение 2.4. Определение параметров модифицированной передаточной модели.
Приложение 2.5. Определение параметров iМодели
Приложение 2.6. Определение параметров iМодели в ii
Приложение 2.7. Определение параметров i модели мощного высоковольтного
биполярного транзистора.
Приложение 2.8. Параметры различных моделей Г1РВ.
Приложение 2.9. Первоначальные параметры для определения параметров модели
высоковольтного транзистора 0 в ii.
Приложение 2 Некоторые справочные данные транзистора I
Приложение 2 Некоторые справочные данные транзистора 0
Приложение 3.1 Определение параметров нелинейной модели МДГ1Т.
Приложение 3.2 Определение параметров кусочнолинейной модели.
Приложение 3.3 Методика определения параметров средствами i
Приложение 3.4. Определение параметров теплозависимой модели
Приложение 3.5. Параметры модели фирмы Ii ii I0 из стандартной
библиотеки .i.
Приложение 3.6. Параметры модели I0 из
Приложение 3.7. Параметры модели 8 из .
Приложение 3.8. Параметры модели из
Приложение 3.9. Параметры усовершенствованной модели 2 из МС.
Приложение 3 Параметры усовершенствованной модели из МС.
Приложение 3 Некоторые справочные данные транзистора 8
Приложение 3 Некоторые справочные данные транзистора I0.
Приложение 3 Некоторые справочные данные транзистора
Приложение 3 Некоторые справочные данные транзистора 2.
ри ложен не 3 Некоторые справочные данные транзистора 3
Приложение 4.1 Аналитический анализ коммутационных процессов МДПтранзистора
при работе на токовую нагрузку по кусочнолинейной модели.
Приложение 5.1 Определение параметров кусочнолинейной модели БТИЗ
Приложение 5.2 Определение параметров составной моделив МС.
Приложение 5.3 Определение параметров i модели БТИЗ в ii
Приложение 5.4 параметры транзистора I из стандартной библиотеки.
Приложение 5.5 модель Ii ii транзистора I4.
Приложение 5.6 Некоторые справочные данные транзистора I.
Приложение 5.7 Некоторые справочные данные транзистора I4
Приложение 6.1 Определение параметров тепловой модели в МС
Приложение 6.2 Определение параметров тепловой модели с помощью i ii.
Приложение 6.3 iпрограмма для анализа работы корректора коэффициента
мощности
Приложение 6.4 iпрограмма для анализа работы стабилизатора напряжения
Введение
Актуальность