ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
Глава 1. Современные материалы для полупроводниковых сенсоров газов и методы их получения
1.1. Полупроводниковые сенсоры газов
1.2. Материалы полупроводниковых сенсоров газов.
1.3. Механизм газонувствительности полупроводниковых материалов.
1.4. Методы получения Си
1.4.1. Метод высокотемпературного термического окисления
1.4.2. Метод пластического вытягивания
1.4.3. Метод выращивания зерен
1.4.4. Метод низкотемпературного термического окисления.
1.4.5. Метод электроосаждения.
1.4.6. Метод твердофазной эпитаксии из раствора, инициированной электрическим полем.
1.4.7. Метод эпитаксии пульсирующим лазером.
1.4.8. Метод анодного окисления.
1.4.9. Метод химического окисления.
1.4 Метод реактивного распыления.
1.5. Методы формирования контактов к Си.
1.6. Выводы.
Глава 2. Технология изготовления сенсорных элементов на основе анодного Си в сульфатнохлоридном электролите
2.1. Описание экспериментальной установки и условий получения анодных пленок Си.
2.2. Свойства электролита состава Си4, ЫаС1,1ЛС1
2.3. Термодинамические закономерности процесса формирования
анодных пленок Си
2.4. Кинетические закономерности процесса формирования
анодных пленок Си
2.5. Выводы.
Глава 3. Исследование физикохимических свойств анодных пленок Си.
3.1. Определение элементного состава анодных пленок Си
3.2. Определение фазового состава анодных пленок Си.
3.3. Исследование морфологии поверхности анодных пленок Си
3.4. Выводы.
Глава 4. Исследование электрофизических свойств анодных пленок Си2.
4.1. Исследование сопротивления анодных пленок Си.
4.2. Исследование ВАХ анодных пленок Си.
4.3. Выводы.
Глава 5. Определение газочувствительных характеристик образцов сенсорных элементов на основе анодных пленок Си.
5.1. Исследование адсорбционного отклика сенсорных элементов
5.2. Динамические характеристики сенсорных элементов.
5.3. Механизм газочувствительности сенсорных элементов.
5.4. Выводы
Заключение.
Список используемых источников