Получение и анализ газочувствительных и фоточувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. Газочувствительные и фоточувствительные
поликристаллические структуры на основе халькогснидов и
оксидов элементов I Угруппы обзор литературы
1.1. Физикохимические свойства халькогенидов свинца
1.2. Модельные представления о контактных явлениях на
границе металлполупроводник и границах зерен
1.3. Физикохимические свойства 8п
1.4. Электрические свойства диоксида олова
1.5. Физические основы работы адсорбционных
газочувствитсльных датчиков на основе диоксида олова
1.6. Выводы
2. Основные методы и методики и исследования
полупроводниковых структур
2.1. Измерения газочувствителыюсти слоев ЯнО, полученных путем окисления на воздухе
2.2. Методика измерения толщины слоев
2.3. Методика проведения фазового анализа и исследования структурного совершенства пленок 8п и РЬХ
2.4. Методика измерения эффекта Холла
2.5. Методика измерения коэффициента термоЭДС
2.6. Методика измерения фотоэлектрических и вольтамперных характеристик
2.7. Методика анализа топологии поверхности методом атомно силовой микроскопии
2.8. Исследование структур методом низкочастотного структурного внутреннего трения
2.9. Выводы
3. Получение и исследования газочувствительных слоев
диоксида олова с управляемым значением и полярностью
аналитического отклика
3.1 .Особенности получения газочувствительных слоев диоксида олова с управляемым значением аналитического
отклика
3.2. Анализ газочувствительных слоев диоксида олова
3.3. Модель формирования аналитического отклика
3.4. Анализ влияния отжига в динамическом вакууме на свойства диоксида олова
3.5. Технология изготовления газового датчика на основе
3.6. Эксплуатационные характеристики газового датчика
3.7. Выводы
4. Влияние состояния границы раздела металлхалькогенидов свинца на фотоэлектрические свойства барьерных структур
4.1. Методика формирования структур металл полупроводник
4.2. Влияние состояния поверхности на вольтамперные и фотоэлектрические характеристики структур 1пРЬТе и пРЬБе
4.2.1. Вольтамперные характеристики контактов 1п ой
4.2.2. Фотоэлектрические характеристики структур 1пРЬТе и пРЬБе
4.3. Особенности границы раздела 1плРЬТе и построение модели работы структуры
4.3.1. Определение параметров вольтамперных характеристик
4.3.2. Расчет физических параметров, I характеризующих границу раздела
4.3.3. Особенности вольтамперных характеристик, обусловленные наличием инверсного слоя
4.3.4. Анализ механизмов токопротекания через , контакт 1пРЬТе
4.4. Обнаружительная способность структур 1пРЬТе
4.5. Выводы
5. Получение и анализ наноструктурированных слоев салькогенида свинца
5.1. Физикотехнологические особенности получения слоев 1
5.2. Термодинамический анализ процесса образования собственных оксидов РЬТе и 8пТе при термическом окислении
5.3. Сравнение методик для характеризации наноструктуированных фоточувствительных слоев селенида 8 свинца
5.4. Исследование поверхности поликристаплических слоев селенида свинца методом туннельной микроскопии
5.5. Исследование топологии поверхности методом
атомносиловой микроскопии слоев
5.6. Исследование слоев РЬТеС1 методом низкочастотного структурного внутреннего трения
5.7. Сканирующая электронная микроскопия поликристаллических слоев халькогенидов свинца
5.8. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА