ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ ПА ИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ
1.1. Получения пленок кремния на сапфире
1.2. Гетсроэпитаксиальиые структуры.
1.3. Имплантация ионов, образующих изолирующую прослойку
1.4. Электрохимический подход.
1.5. Структуры кремний на сапфире.
1.6. Формирование структур кремний на изоляторе.
1.7. Изготовление КИИ структур методом прямого соединения пластин
1.8. Применение КНИтехнологии
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИСТЕМЫ
МЕТАЛЛ ДИЭЛЕКТРИК ПОЛУПРОВОДНИК
2.1. Зарядовое состояние МДП структур
2.2. Определение параметров МДП структур.
2.3. Методика исследования параметров диэлектрика в системе металлдиэлектрикполуироводиик.
2.4. Элек трофизические свойства системы 8 БЮг
2.5. Влияние зарядов на поверхностные состояния и пороговое напряжение МДП структур.
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА
ДЕФЕКТНОСТЬ И ПАРАМЕТРЫ КИИ СТРУКТУР.
3.1. Особенности МДП транзисторов изготовленных по КНИтехнологии
3.2. Дефектность КНИ структур
3.3. Влияние дефектов на параметры приборов.
3.4. Влияние технологических факторов на дефектность КНИструктур.
ГЛАВА 4. ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ КИИ
СТРУКТУР
4.1. Формирование изолирующего слоя.
4.2. Ионная имплантация в КНИ технологии
4.3. Пленки , выращенные на изолирующих подложках, обработанные ионным пучком
4.4. Улучшение структуры пленок кремния на сапфире методом ионной имплантации кремния с последующим отжигом.
4.5. Влияние термообработки на электрические свойства иопноимплантированного кремния на сапфире
4.6. Формирование пленок па сапфире с улучшенной структурой
4.7. Совершенствование структуры пленок кремния на изоляторе
4.8. Создание КИИ структур с пониженной плотностью
дефектов.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922