Ви є тут

Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx:SnOy

Автор: 
Плуготаренко Нина Константиновна
Тип роботи: 
SnOy
Рік: 
2006
Артикул:
568497
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ.
1.1. Моделирование процессов роста тонких пленок из газовой фазы
1.2. Моделирование процессов роста тонких пленок из расплавов
1.3. Моделирование электрохимических процессов роста тонких пленок.
1.4. Моделирование процессов роста тонких пленок из растворов гидролизующихся соединений.
1.5. Процессы роста тонких пленок с позиций теории самоорганизации.
1.6. Методы МонтеКарло при моделировании роста тонких пленок
1.7. Выводы
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК СОСТАВА ЗЮхпОу ПО ЗОЛЬГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ
2.1. Исследование процесса формирования структуры частиц золя
2.2. Исследование процесса формирования первичной гелевой структуры пленки.
2.3. Исследование процесса формирования устойчивой структуры пленки
2.4. Выводы
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА СТРУКТУРУ ФОРМИРУЕМЫХ ПЛЕНОК.
3.1. Исследование кинетики процесса созревания золя
3.2. Исследование влияния состава и температуры созревания золя на структуру формируемых пленок.
3.3. Исследование влияния температуры отжига на структуру формируемых пленок
3.4. Выводы.
4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК,
ПОЛУЧЕННЫХ ПО ЗОЛЬГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ.
4.1 .Моделирование параметров структуры тонких пленок с позиций
теории самоорганизации
4.1.1. Расчет фрактальной размерности.
4.1.2. Определение показателей Ляпунова.
4.1.3. Определение энтропии Колмогорова.
4.2. Моделирование параметров структуры тонких пленок методом МонтеКарло .
4.2.1. Алгоритм расчета агрегатов.
4.2.2. Компьютерный эксперимент.
4.2.3. Результаты моделирования.
4.3.Методика проектирования технологических маршрутов получения тонких пленок состава 8ЮХ 8пОу с заданной структурой для создания сенсорных элементов на их основе.
4.4.Вывод ы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ