СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Взаимодействие освещения и ускоренных ионов с веществом.
Аналитический обзор
1.1. Фотопроводимость поликристаллических полупроводниковых пленок
1.2. Метод вторичноионной массспектрометрии
Выводы к главе 1
Глава 2. Массспектрометрическос исследование пленок в отсутствие
освещения
2.1. Методика ВИМСисследований пленочных мишеней
2.2. Результаты ВИМСаиализа. Распределение компонент
поликристаллической пленки по ее толщине
2.3. Обсуждение результатов ВИМСаналнза. Модель распределения фаз по
толщине гетерофазной пленки
2.4. Исследование пленок , легированных свинцом с помощью
технологии ЛенгмюраБлоджетт
2.5. Смещение масспиков, вызванное зарядкой мишени в процессе ВИМС
Анализ результатов и выводы к главе 2
Глава 3. Влияние освещения на процесс ионного распыления гетерофазного
поликристаллического фотопроводника . Экспериментальные данные
3.1. Методика исследования влияния освещения на выход вторичных ионов
3.2. Влияние освещения белым светом на выход вторичных ионов из
гетерофазного пленочного фоторсзистора на основе при ионной бомбардировке
3.3. Особенности ионного распыления пленок при освещении, вы
званные зарядкой мишени
3.4. Исследование люксамперных характеристик пленок
Анализ результатов и выводы к главе 3
Глава 4. Процессы в гетерофазном фотопроводнике при одновременном
воздействии белого света и потока ионов. Теоретическое описание
4.1. Качественное описание процессов при воздействии света и ионной бом
бардировки на фотопроводящий гетерофазный полупроводник
4.2. Вывод теоретических зависимостей для изменения выхода вторичных
ионов в результате освещения и ионной бомбардировки
4.3. Аналитическое обоснование экспериментальных данных
Анализ результатов и выводы к главе 4
Заключение
Список использованной литературы