Влияние инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС

ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.
.1.1. Эффект низкой интенсивности излучения.
1.2. Эффект старения
1.3. Недостатки существующих методов моделирования эффектов низкой интенсивности и старения
Постановка задачи.
ГЛАВА 2. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ.
2.1. Методика проведения экспериментов
2.2. Источник инфракрасного излучения.
2.3. Технические средства проведения экспериментов
2.4. Исследование характеристик биполярных РЫР транзисторов после воздействия инфракрасного излучения
2.5. Исследование характеристик биполярных ИРЫ транзисторов
после воздействия инфракрасного излучения
2.6. Исследование зависимости радиационной деградации биполярных РОТ транзисторов с ЭПИК изоляцией от режима инфракрасного предоблучения
2.7. Исследование зависимости радиационной деградации биполярных ИРЫ транзисторов от режима инфракрасного предоблучения
2.8. Моделирование эффекта низкой интенсивности в биполярных ИМС при помощи инфракрасного излучения.
2.9. Физическая модель изменения радиационной деградации биполярных транзисторов вследствие инфракрасного предоблучения .
ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВМЕСТО ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА СТАРЕНИЯ В БИПОЛЯРНЫХ ИМС.
3.1. Сравнение моделирования эффекта старения при термическом воздействие и инфракрасном предоблучении для биполярных РЫР транзисторов с ЭПИК изоляцией
3.2. Сравнение методов моделирования эффекта старения в биполярных ИРМ транзисторах с 8Юз изоляцией
ГЛАВА 4. ИНФРАКРАСНЫЙ ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В БИПОЛЯРНЫХ ИМС
4. . Методика проведения экспериментов
4.2. Инфракрасный отжиг радиационных дефектов в биполярных РЫР транзисторах
4.3. Инфракрасный отжиг радиационных дефектов в биполярных РТРЫ транзисторах.
4.4. Исследование насыщения инфракрасного отжига.
4.5. Сравнение инфракрасного и термического отжига радиационных дефектов в биполярных транзисторах
Выводы.
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ СТАБИЛЬНОСТИ СИСТЕМЫ НЕЙТРАЛЬНЫХ И ДИПОЛЬНЫХ Е ЦЕНТРОВ, ВОЗНИКШЕЙ В БИПОЛЯРНЫХ ИМС ВСЛЕДСТВИЕ ИНФРАКРАСНОГО ПРЕДОБЛУЧЕНИЯ
5.1. Выбор методики проведения эксперимента.
5.2. Исследование воздействия повышенной температуры на радиационную деградацию биполярных РИР транзисторов с ЭПИК изоляцией, подвергшихся инфракрасному предоблучению
5.3. Исследование температурной стабильности системы нейтральных и дипольных Е центров в биполярных КРЫ транзисторах с Б изоляцией
5.4. Оценка энергии перехода Е центров между разными энергетическими конфигурациями при отсутствии напряжения смещения перехода эмиггербаза
Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ