Ви є тут

Интегральные магниточувствительные матрицы для измерения параметров вектора индукции магнитного поля

Автор: 
Крупнов Юрий Анатольевич
Тип роботи: 
Дис. канд. техн. наук
Рік: 
2004
Артикул:
568579
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
Глава I Интегральные полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля.
1.1. Основные типы интегральных полупроводниковых матричных преобразователей магнитного поля
1.2. Применение интегральных полупроводниковых матричных преобразователей магнитного поля.
1.3. Основные требования к интегральным полупроводниковым матричным
преобразователям магнитного поля
1.4 Выводы и постановка задачи
Глава 2. Разработка и исследование двухкомпонентных интегральных матричных преобразователей вектора индукции магнитного поля на основе биполярных двухколлекторных транзисторов.
2.1 Магниточувствительная линейка для измерения двух тангенциальных компонент вектора индукции магнитного поля
2.2 Разработка технологии изготовления магниточувствительной
линейки.
2.3 Исследование характеристик магниточувствительной линейки
2.4 Исследование путей снижения величины температурного коэффициента чувствительности биполярного двухколлекторного магнитотранзистора.
2.5 Исследование радиационного поведения биполярного двухколлекгорного магнитотранзистора
2.6 Выводы по главе 2.
Глава 3 Разработка и исследование интегральных матричных преобразователей для измерения трех компонент вектора индукции магнитного поля.
3.1 Разработка конструктивных вариантов интегральных матричных преобразователей для измерения трех компонент вектора индукции магнитного поля.
3.2 Особенности технологии изготовления интегральных матричных преобразователей вектора индукции магнитного поля.
3.3 Исследование характеристик интегральных матричных преобразователей вектора индукции магнитного поля
3.4 Выводы по главе 3.
Глава 4 Исследование и разработка конструктивнотехнологических методов повышения прецизионности измерения на основе интегральных матричных преобразователей вектора индукции магнитного поля
4.1 Разработка биполярного двухколлскторного магнитотранзистора с тонкопленочным многослойным концентратором магнитного поля.
4.2 Исследование биполярного двухколлекторного магнитотранзистора с заглубленными активными областями
4.3 Исследование влияния схемы преобразования сигнала чувствительных элементов на прецизионность измерения параметров вектора индукции
магнитного поля
4.4 Выводы по главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список использованных источников