СОДЕРЖАНИЕ
ГЛАВА 1 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ И ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1.1 Зонные диаграммы гетеропереходов
1.1.1 Плавные гетеропереходы
1.2 Механизм прохождения тока через гетеропереход
1.2.1 Анизотипные гетеропереходы
1.2.2 Изотипные гетеропереходы
1.3 Прохождение тока в высокоомных полупроводниках и диэлектриках
1.4 Некоторые механизмы возникновения участка отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике
1.5 Кристаллические приборы с поляризованной памятью и переключением
1.6 Полупроводниковые свойства ваР и ггг
1.7 Выводы к главе
ГЛАВА 2 ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ
СУЛЬФИДА ЦИНКА
2.1 Газотранспортный метод получения эпитаксиальных слоев
2.2 Получение эпитаксиальных слоев сульфида цинка на фосфиде галлия
2.3 Структура слоев сульфида цинка, полученных на фосфиде галлия
2.4 Локальные уровни в слое сульфида цинка
2.5 Вольтамперные характеристики слоя 2п
2.6 Выводы к главе
ГЛАВА 3 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ваР
Электрические характеристики Анизотипные структуры гпЬваР Изотипные гетероструктуры Фоточувствительность ОаР гстероструктур Обсуждение результатов Выводы к главе
ГЕТЕРОСТРУКТУР
3.1.
3.
3.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность
- Київ+380960830922