СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие.
Глава 1. Введение.
1.1. Эффект Джозефсона. Джозефсоновские переходы и их параметры.
1.2. Механизмы протекания тока в джозсфсоновских переходах
1.3. Условия получения высококачественных переходов с непосредственной проводимостью.
1.4. Переходы с легированными полупроводниками.
1.5. Постановка задачи.
Глава 2. Технологические методы формирования
функциональных слоев и джозефсоновской структуры ГЧЬаЗММЬ
2.1. Метод формирования пленок. Конструкция распылительного
2.2. Нанесение пленок 6 и аБ1 и их электрофизические свойства
2.3. Высокочастотная ионная очистка поверхности
2.4. Методика изготовления джозефсоновских переходов ЫЬга
Краткие выводы
Глава 3. Исследование структуры джозефсоновских переходов
мЛаЛЧЬ
3.1. Профильный ОЭС и ЮР анализ тестовых образцов джозефсоновской структуры мЛаБьЫЬ и двухслойных структур НЬтаБ1 и аБШЬ.
3.2. Исследование джозефсоновской структуры методом просвечивающей электронной микроскопии.
3.3. Исследование электрофизических свойств основных слоев ТДП
и двухслойной структуры аБ1МЬп
3.4. Модель структуры ТДП ЫЬ1аБ1ЫЬ
Краткие выводы
Глава 4. Исследование электрофизических свойств
джозефсоновских переходов Ш1аБ1ЛЧЬ.
4.1. Методики и средства измерений электрофизических характеристик джозефсоновских переходов МЬУаБ.
4.2. Вольтамперные характеристики переходов КЬ1аБ1МЬп.
4.3. Температурные зависимости основных электрофизических параметров ТДП МаБИЬ
4.4. Влияние магнитного и СВЧ полей на характеристики ТД
4.5. Исследование зависимостей основных электрических параметров переходов МЛаБИЬ от толщины аБпрослойки
4.6. Физическая модель ТДП ЫЬ1аЛ4Ьп.
Краткие выводы.
Глава 5. Сверхлроводниковые интегральные схемы на основе
ТДП ЧЬ7а8ЛЧЬи.
5.1. Сверхлроводниковые СВЧ ИС на основе ТДП
5.2. ПТсквиды на основе ТДП МЛаБМЬ
5.3. Сверхлроводниковые ИС с квантами магнитного потока.
Краткие выводы.
Заключение.
Приложение 1. Технология формирования и электрические
свойства ДП ИЬаБМЬ
Приложение 2. Методика измерения И.
Список работ автора.
Литература
- Київ+380960830922