Использование численного моделирования на основе метода Монте-Карло для исследования и оптимизации процессов высокоэнергетической электронной литографии

Оглавление
Введение
Глава 1. Исследование и оптимальный набор численных моделей рассеяния пучка электронов в тврдой мишени применительно к высокоэнерге
. тической электронной литографии
1.1 Моделирование движения электрона в мишени.
1.1.1 Особенности моделирования траектории движения электрона в
тврдом теле методом МонтеКарло
1.1.2 Модели упругого взаимодействия электрона с атомом
1.1.2.1 Формула Резерфорда, учитывающая экранировку заряда ядра.
Экранирующий параметр и функциональный вид дифференциального сечения упругого рассеяния.
1.1.2.2 Дифференциальное сечение Мотта
1.1.3 Модели неупругого рассеяния электрона. Энергетические потери
1.1.3.1 Непрерывные потери энергии.
1.1.3.2 Дискретные потери энергии.
1.1.3.3 Виды энергетических потерь, неучтнные при моделировании
переноса электронов в твердом теле.
1.2 Сравнение моделей упругого и неупругого рассеяния. Оптимальный набор моделей. Сравнение результатов численного счта с экспериментальными данными.
1.2.1 Сравнение моделей упругого рассеяния.
1.2.2 Сравнение моделей неупругого рассеяния.
1.2.3 Сравнение результатов численного счта по оптимальному и классическому наборам моделей с экспериментальными данными
Выводы.
Глава 2. Модель генерации и поглощения тормозного рентгеновского излучения.
2.1 Модели генерации и поглощения тормозного излучения.
2.2 Смешанная модель генерации и поглощения тормозного излучения
2.2.1 Генерация излучения
2.2.2 Поглощение излучения.
2.2.3 Сравнение результатов расчта с экспериментальными данными и
с результатами расчтов других авторов.
Глава 3. Исследование влияния тормозного излучения на работу МОП
транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощнную
энергию в резисте.
3.1 Оценка влияния тормозного излучения на работу МОПтранзисторов.
3.2 Оценка вклада тормозного излучения в поглощнную энергию в резисте
Выводы.
Глава 4. Расчт и минимизация эффекта нежелательной засветки резиста при создании масок для рентгеновской и проекционной электронной литографий .
4.1 Расчт поглощнной энергии в резисте при создании масок для проекционной электронной и рентгеновской литографий
4.2 Минимизация эффекта близости путм перфорации подложки
Выводы.
Глава 5. Роль вторичных электронов в моделировании проявленных профилей резистов.
5.1 Модель растворения электронных резистов.
5.2 Процедура определения модельных параметров резиста. Сравнение
результатов численного счта с экспериментальными данными.
Выводы.
Заключение.
Литература