СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Природа стеклообразного состояния диэлектриков и полупроводников.
1.2. Особенности строения оксидных и халькогенидных стекол.
1.3. Области стеклообразования и диаграммы состояния металлсодержащих теллуридных и селенидных систем.
1.3.1. Система таллий германий теллур.
1.3.2. Система таллий мышьяк теллур.
1.3.3. Система медь мышьяк теллур.
1.3.4. Система медь мышьяк селен
1.3.5. Система таллий мышьяк селен
1.3.6. Система таллий мышьяк селен теллур.
1.4. Особенности химического растворения халькогенидных стекол.
1.4.1. Химическая и коррозионная стойкость металлов и полупроводников
1.4.2. Кинетика химического растворения стеклообразных халькогенидов.
1.4.3. Дифференцирующее растворение химический метод фазового
анализа твердых веществ
1.4.4. Селективное растворение стекол и поликристаллов в органических и неорганических растворителях
1.5. Вольгамперометрическое исследование халькогенидных стекол.
1.5.1. Теоретические основы и разновидности вольтамперомстрии.
1.5.2. Локальный электрохимический анализ.
1.5.3. Настовая технология вольтамперометрии
1.5.3.1. Особенности электродов из углеродистых материалов.
1.5.3.2. Типы электродных реакций на УПЭЭ
1.5.3.3. Применение УПЭЭ в фазовом анализе и при определении
степени окисления элементов
1.6. Краткие выводы по обзору литературы и постановка цели работы
Глава 2. ЭКВИВЛЛЕНТОМЕТРИЯ ТАЛ ЛИЙСО ДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ
2.1. Химический эквивалент и его использование в качестве параметра для оценки особенностей строения стекол
2.1.1. Методика эквивалентометрии халькогенидиых стекол при их растворении
в растворе щелочи.
2.1.2. Качественный анализ продуктов растворения стекол систем
Т1 Аб 8е и Т1АБе2 Т1АбТс2 в растворе КОН.
2.2. Результаты эквивалентометрического исследования халькогенидиых стекол
2.2.1. Химический эквивалент стекол системы Т1 Аб Эе.
2.2.2. Химический эквивалент стекол системы Т1АБ8е2 ПАзТеа.
Глава 3. ВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЯ ТАЛЛИЙ И МЕДЬСОДЕРЖАЩИХ
ХАЛЬКОГЕНИДИЫХ СТЕКОЛ.
3.1. Методические основы вольтамперометрии стеклообразных полупроводников.
3.1.1. Методика вольтамперометрии массивных образцов стекол
3.1.2. Методика вольтамперометрии стекол с использованием ластового
электрода.
3.2. Результаты вольтамперометрического исследования халькогенидиых стекол .
3.2.1. Вольтамперомегрия стекол системы Т1 ве Те.
3.2.2. Вольтамперомегрия стекол системы Т1 Аб Те
3.2.3. Вольтамперометрия стекол системы Т1 Аб Бе сечение АБе3 Т8е.
3.2.4. Вольтамперометрия стекол системы Т1 Аб 8е Те
сечение Т1АБ8е2 Т1АБТе2.
3.2.5. Вольтамперометрия стекол системы Си Аб Те.
3.2.6. Вольтамперометрия стекол системы Си Аб Бе
ВЫВОДЫ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922