Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Обзор литературы и постановка задачи
исследования.
1.1. Твердые растворы АЮаАБ, свойства, особенности диаграммы состояния
1.2. Жидкофазная эпитаксия в однородном температурном поле
1.3. Зонная перекристаллизация градиентом температуры твердого и порошкообразного источников.
1.4. Жидкофазная эпитаксия со снижением температуры в иоле температурного градиента.
1.5. Гомогенная кристаллизация в объеме жидкой фазы и ее роль
в процессах жидкофазной эпитаксии
1.6. Постановка задачи исследования
Выводы.
Глава 2. Теоретический анализ жидкофазной эпитаксии с
подпиткой кристаллическим источником
2.1. Формирование материалаисточника.
2.2. Модель образования гомогенных зародышей в жидкой фазе
2.3. Расчет пересыщений, возникающих при смешении раствороврасплавов различных составов.
2.4. Жидкофазная эпитаксия с регенерацией растворарасплава .
2.4.1. Сущность способа
2.4.2. Расчет распределения компонентов эпитаксиальных слоев, полученных на горизонтально расположенной подложке
2.4.3. Расчет распределения компонентов эпитаксиальных слоев, полученных на вертикально расположенной подложке
Выводы.
Глава 3. Аппаратурнометодические особенностями оформления процесса жидкофазной эпитаксии с подпиткой кристаллическим источником
3.1. Аппаратура.
3.2. Методика проведения процесса жидкофазной эпитаксии
в поле температурного градиента.
3.3. Методика проведения процесса жидкофазной эпитаксии с регенерацией растворарасплава в однородном температурном поле на горизонтально расположенных подложках.
3.4. Методика проведения процесса жидкофазной эпитаксии с регенерацией растворарасплава в однородном температурном поле на вертикально расположенных подложках.
Выводы
Глава 4. Состав и структурное совершенство слоев,
полученных методом жидкофазной эпитаксии с подпиткой кристаллическим источником
4.1. Распределение компонентов в твердых растворах А1хОахАз, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры кристаллического источника
4.2. Распределение компонентов в твердых растворах Л1хСа.хАз, полученных методом жидкофазной эпитаксии с регенераци ей растворарасплава на горизонтально расположенных подложках
4.3. Распределение компонентов в твердых растворах АСаАэ, полученных методом жидкофазной эпитаксии с регенера цией растворарасплава на вертикально расположенных подложках
Выводы.
Глава 5. Прикладные возможности метода жидкофазной
эпитаксии с регенерацией растворарасплава
5.1. Сверхяркие светодиоды красного цвета свечения.
5.1.1. Особенности формирования светоизлучающих многопроходных гетероструктур
5.1.2. Конструкция и принципы работы кассеты для изготовления многопроходных гетероструктур в едином технологическом цикле
5.1.3. Электрооптические характеристики многопроходных гетероструктур и светодиодов, полученных методом ЖЭ
с регенерацией растворарасплава.
5.2. Перспективы использования метода ЖЭ с регенацией растворарасплава для формирования гетероструктур АШВУ с прецизионным управлением компонентами
5.2.1. Инфракрасные лазеры с электронной накачкой на основе твердых растворов ТпАбБЬ.
5.2.2. Двойная гетероструктура светоизлучающего диода на базе пятикомпонентного твердого раствора Ixi.xi.
Выводы.
Заключение.
Примечания.
Литература