Управляемый синтез гетерогенных систем: технология и свойства

Введение.
1 Методология технологии управляемого синтеза гетерогенных
систем.
1.1 Многокомпонентные системы и их свойства.
1.2 Основные методы получения многокомпонентных систем
и приборов на их основе.
1.3 Влияние облучения на свойства многокомпонентных систем
1.4 Концепция создания гетерогенных систем с управляемыми свойствами
2 Основы технологии управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А4 В6.
2.1 Использование метода горячей стенки для получения эпитаксиальных пленок сульфида, селенида свинца и твердых
растворов на их основе в квазиравновесных условиях
2.2 Выбор условий получения эпитаксиальных пленок сульфида свинца и РЬЗе высокого структурного совершенства на основе
кинетических исследований.
2.2.1 Кинетическая диаграмма условий конденсации пленок
сульфида свинца и твердых растворов РЬЗе на диэлектрических подложках из фтористого бария.
2.2.2 Влияния условий получения на скорость конденсации и структурное совершенство эпитаксиальных пленок сульфида свинца
и твердых растворов сульфидселенид свинца .
2.3 Зависимость электрофизических свойств многокомпонентных материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца от условий
получения.
2.3.1 Зависимость концентрации носителей заряда и
I
коэффициента термоЭДС от давления пара серы.
2.3.2 Влияние температуры подложки на значения коэффициента термоЭДС и тип электропроводности
многокомпонентных полупроводниковых материалов
2.4 Зависимость состава и электрофизических свойств многокомпонентных систем на основе эпитаксиальных пленок твердых растворов сульфидселенид свинца от условий
получения.
2.5 Физикохимические закономерности получения многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфидселенид свинца с контролируемыми свойствами.
2.5.1 Расчет термодинамических параметров реакций образования собственных дефектов в многокомпонентных материалах на основе
эпитаксиальных пленок РЬ8 и твердых растворов РЬБе,
2.5.2 Расчет концентраций собственных дефектов, носителей заряда
и инверсных давлений пара халькогеиа квазихимичсским методом
2.5.3 Термодинамический расчет условий протекания реакций замещения атомов серы атомами селена
2.5.4 Кинетические расчеты процессов самодиффузии в полупроводниковых материалах на основе А4 В6
Выводы.
3 Управляемый синтез многокомпонентных проводниковых материалов.
3.1 Получения пленок многокомпонентных проводниковых материалов методом термического испарения в вакууме
3.2 Процессы формирования пленок проводниковых многокомпонентных материалов
3.3 Влияние условий конденсации пленок многокомпонентных материалов, полученных методом термического испарения в вакууме,
на их состав.
3.4 Исследование скорости конденсации пленок многокомпонентных материалов.
3.5 Исследование адгезии пленок к поверхности ситалловой подложки.
3.6 Моделирование процесса формирования плнок многокомпонентных проводниковых материалов.
Выводы.
4 Управление свойствами многокомпонентных материалов на основе сегнетоэлектрических твердых растворов
цирконататитаната свинца.
4.1 Влияние состава твердых растворов
цирконататитаната свинца на их электропроводность.
4.2 Влияние однократного рентгеновского излучения на электропроводность сегнетоэлектрических твердых растворов
на основе цирконататитаната свинца
4.3 Моделирование электропроводности твердых растворов цирконататитаната свинца
4.4 Влияние многократного рентгеновского излучения на электропроводность твердых растворов цирконататитаната свинца.
4.5 Влияние рентгеновского излучения на диэлектрические
свойства твердых растворов цирконататитаната свинца.
Выводы.
5 Получение пленочных резисторов на основе многокомпонентных проводниковых материалов с управляемыми и стабильными во времени параметрами
5.1 Исследование параметров пленочных резисторов на основе хромоникелевых сплавов в процессе хранения
5.2 Влияние защитного слоя на параметры пленочных резисторов
с использованием хромоникелевых сплавов в процессе хранения
5.3 Управление параметрами пленочных резисторов
посредством отжига
5.4 Управление параметрами пленочных резисторов за счет
облучения рентгеновскими лучами
Выводы.
6 Получение и выходные параметры фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида свинца и твердых растворов сульфидселенид свинца.
6.1 Выбор материалов омического и выпрямляющего контактов.
6.2 Получение фотоэлектрических преобразователей на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфидселенид свинца
6.3 Расчт зонной диаграммы барьеров Шоттки на
основе 1п р РЬБ.
6.4 Исследование вольтамперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе рпгомопереходов и барьеров Шоттки.
6.4.1. Исследование вольтамперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе
рп гомопереходов
6.4.2 Исследование вольтамперных характеристик
фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки
6.5 Исследование вольтфарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р п гомопереходов
и барьеров Шоттки.
6.5.1 Исследование вольтфарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе
рп гомопереходов
6.5.2 Исследование вольтфарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки
6.6 Исследование фотоэлектрических характеристик
рп гомопереходов и барьеров Шоттки.V
6.6.1 Исследование фотоэлектрических характеристик
рп гомопереходов.
6.6.2 Исследование фотоэлектрических характеристик
барьеров Шоттки.1
6.7 Влияние условий получения на выходные парахметры фотоэлектрических преобразователей.
Выводы.
7 Методики исследования свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем.
7.1 Методика проведения рентгеновского фазового анализа .
7.2 Методика исследования качественного и количественного
состава многокомпонентных систем
7.3 Методика измерения коэффициента термоЭДС полупроводниковых многокомпонентных материалов.
7.4 Методика исследования эффекта Холла полупроводниковых многокомпонентных материалов.
7.5 Методика исследования электропроводности диэлектрических многокомпонентных материалов..
7.6 Методика исследования вольтамперных характеристик гетерогенных систем.
7.7 Методика исследования вольтфарадных характеристик гетерогенных систем.
7.8 Методика исследование фотоэлектрических характеристик гетерогенных систем
7.9 Аппаратное обеспечение автоматизированных исследований свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем на их основе.
7.9.1 Автоматизированный лабораторный стенд для
исследования проводящих свойств многокомпонентных систем.
7.9.2 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования свойств многокомпонентных полупроводниковых материалов методом эффекта Холла.
7.9.3 Автоматизированный лабораторный стенд для
исследования вольтамперных характеристик гетерогенных систем
7.9.4 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования параметров гетерогенных систем методом вольтфарадных характеристик
Выводы
Основные результаты работы.
Список литературы