Разработка технологии послеростовой обработки приборов на основе широкозонных полупроводниковых материалов

СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава 1. Широкозонные полупроводниковые материалы и
приборы на их основе
1.1. Нитриды алюминия, галлия, индия
1.2. Карбид кремния.
1.3. Синтетический алмаз
1.4. Приборы на их основе широкозонных
полупроводниковых материалов
1.4.1. Светодиоды на нитриде галлия.
1.4.2. СВЧ транзисторы на нитриде галлия
1.4.3. СВЧ приборы на карбиде кремния.
1.4.4. Силовые приборы на карбиде кремния.
1.4.5. Светодиоды на карбиде кремния
1.4.6. СВЧ транзисторы на синтетическом алмазе
1.4.7. Биполярные транзисторы на синтетическом алмазе.
1.4.8. Подложки из широкозонных полупроводников.
Глава 2. Анализ существующих технологий утоненияразделения сапфировых подложек со сформированными
на них приборными структурами.
Глава 3. Разработка технологии утонения сапфировых подложек со сформированными на них приборными структурами.
Глава 4. Разработка технологии разделения сапфировых подложек со сформированными на них приборными структурами
Глава 5. Исследование функционально эксплуатационных характеристик нитридных светодиодов и транзисторов, полученных по разработанной технологии утоненияразделения
Список литературы