Электрофизические основы контроля изображений наноструктуры поверхности в сканирующем туннельном микроскопе для изучения кластерных материалов

ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОБЗОР СОВРЕМЕННЫХ НАПРАВЛЕНИЙ
ИССЛЕДОВАНИЙ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЯВЛЕНИЙ, СВЯЗАННЫХ С УЛЬТРАДИСПЕРСНЫМИ ЧАСТИЦАМИ КЛАСТЕРНЫХ
МАТЕРИАЛОВ
1.1. Краткий обзор истории, основных принципов и методик
СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ.
1.2. АНАЛИЗ СТРОЕНИЯ И СОСТАВА КЛАСТЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ.
1.3. Обзор методов моделирования поверхностных явлений
1.4. Анализ существующих методик подготовки и
моделирования СТМисследоваяий.
1.5. Обзор методов создания зондирующих острий СТМ
1.6. Выводы И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ГЛАВА 2. ПОСТРОЕНИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИХ СТМИЗОБРАЖЕИИЙ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ЧАСТИЦ КЛАСТЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ.
2.1. Электрофизическая . интерпретация параметров
НАНОСТРУКТУРЫ поверхности в СКАНИРУЮЩЕМ туннельном микроскопе.
2.2. Основы методов расчета электронной структуры
2.3. Полуэмпирические МЕТОДЫ ВЫЧИСЛЕНИЙ плотности СОСТОЯНИЙ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ.
2.4. Использование первоприицишнтх методов, расчета электронной структуры
2.5. Первопринципные расчеты теоретических СТМизображений кластеров металлов, адсорбированных на поверхности пиролитического графита.
2.6. Анализ ошибок вычислений электронной структуры и теоретических СТМизображений .
2.6.1. Точность метода ХартриФока.
2.6.2. Ошибка, определяемая использованием неполных базисных наборов
2.6.3. Погрешность, обусловленная видом начального предположения в методе ХартриФока.
2.6.4. Суммарная оценка ошибок расчета электронной структуры методом ХартриФока
2.7. Выводы по ГЛАВЕ 2
ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ОСТРИЯ И СОЗДАНИЕ МЕТОДИКИ
АТОМАРПОГО ЗАОСТРЕНИЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ИГЛ ДЛЯ
УЛУ ЧШЕНИЯ КАЧЕСТВА СТМИЗОБРАЖЕНИЙ.
3.1. Факторы, влияющие на качество СТМизображений
3.2. Сравнительный анализ моделей игл для теоретических СТМисследований
3.3. Формирование моноатомного острия измерительной иглы
3.3.1. Модель системы для расчета электрического поля в процессе полевого испарения.
3.3.2. Адаптация конечноразностной сетки к условиям задачи
3.3.3. Дискретный аналог уравнений в частных производных для двухмерной задачи
3.3.4. Моделирование и расчет электростатического поля в межэлектродном пространстве
3.4. Обзор вопросов применения эмиссионного тока для оценки качества атомарной заточки зондирующего острия
3.5. Выводы по главе 3
ГЛАВА 4. ПОСТРОЕНИЕ И ЧИСЛЕННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТУННЕЛЬНЫХ СПЕКТРОВ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ЧАСТИЦ КЛАСТЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
4.1. Анализ приближений для расчета туннельного тока
4.1.1. Приближение ВентцеляКрамерсаБриллюэна
4.1.2. Методика расчета туннельных спектров в приближении БардинаТерсоффаХаманна
4.2. Численные исследования туннельных спектров
УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ЧАСТИЦ КЛАСТЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
4.3. Анализ ошибок расчета туннельных спектров, ОБУСЛОВЛЕННЫХ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕОРИИ БТХ
4.3.1. Оценка адекватности модели БТХ.
4.3.2. Оценка погрешности использования численных методов интегрирования.
4.4. Выводы ПО ГЛАВЕ 4.
ГЛАВА 5. ПРОГРАММНОАППАРАТУРНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ И ИПТЕРПРЕТ АЦИИ ТЕОРЕТИЧЕСКИХ СТМИЗОБРАЖЕНИЙ
5.1. Особенности ашхаратурных средств СТМ для повышения ДОСТОВЕРНОСТИ измерительной информации при изучении УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ЧАСТИЦ КЛАСТЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
5.2. Программное обеспечение СТМ для изучения УДЧ КМ
5.3. Программные средства для работы с теоретическими СТМизображениями.
5.3.1. Подсистема построения и обработки теоретических СТМ
изображений.
5.3.2. Модуль совмещениятеоретических СТМизображеиий
5.4 Сравнение теоретических изображений с эксперимент а ль ньпуш ДАННЫМИ
5.5. Выводы по главе 5.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ