Изменение электрофизических свойств системы кремний-подзатворный окисел МОП-транзисторов с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения

Содержание
Введение
Глава 1. Влияние ионизирующего излучения на МОПструктуру
1.1.Общие представления о влиянии ионизирующего
излучения на МОПструктуру
1.2.Влияние технологии формирования МОП
структур на характер радиационной деградации
1. 3 . Влияние гаммаоблучения на диэлектрические
параметры термического диоксида кремния
1.4 . Исследование радиационной стабильности МДПструктур с модифицированными окислами кремния и
другими видами диэлектрика
1. 5 . Отжиг радиационноиндуцированного заряда
Глава 2. Сущность эксперимента и методы исследования
2.1. Экспериментальные МОПструктуры
2.2. Установка для измерения вольтфарадных характеристик и метод измерения
2.3. Сущность метода катодолюминесценции
2 .4 . Люминесцентные свойства системы ББОг
Глава 3. Исследование электрофизических характеристик тестовых структур
3.1. Изменение заряда в окисле тестовых структур при формировании затвора из поликристаллического кремния5
3.2.Релаксация механических напряжений при формировании подзатворного диоксида кремния
З.З.Исследование гистерезиса вольтфарадных характеристик тестовых структур
Глава 4. Исследование влияния гаммаизлучения на тестовые структуры ЗЗ8А1
4.1.Заряд в окисле тестовых структур при облучении6
4.2.Гистерезис ВФХ тестовых структур при облу
чении7
4.3.Изменение радиационного заряда тестовых
структур после облучения
4 .4.Радиационная и пострадиационная деградация электрофизических параметров при низкотемпературном облучении
4.5. Особенности радиационной деградации электрофизических свойств тестовых структур при облучении под смещением на затворе
4.6.Изменение дефектной структуры окисла при воздействии ионизирующего излучения
Основные выводы
Литература