Ви є тут

Математическое моделирование температурных полей силовых биполярных транзисторов

Автор: 
Белозерцев Андрей Витальевич
Тип роботи: 
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік: 
2007
Артикул:
5247
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Аналитический обзор современного состояния математического моделирования тепловых полей в компонентах электронной техники
2. Постановка задачи теплопереноса и токораспределения
в корпусе биполярного транзистора и методы ее решения
2.1 Общая физическая постановка
2.2 Математическая постановка задачи пространственного теплопереноса
2.3 Метод решения
2.4 Метод расчета токов
2.5 Общий алгоритм.
2.6 Тестирование алгоритма.
2.7 Исследование влияния сеточных параметров на погрешность расчетов.
3. Численное исследование температурного поля и электрических характеристик работы транзистора.
3.1 Исследование распределения плотности тока эмиттерных
полос и динамических ВАХ транзисторной структуры.
3.2 Исследование влияния расположения кристалла в корпусе прибора
3.3 Исследование влияния значений сопротивлений балластных резисторов на температурное распределение токов эмиттерных полос
3.4 Исследование влияния топологии кристалла на неравномерность температурного поля
4. Экспериментальное исследование температур поверхности кристаллов транзисторов.
4.1 Методика экспериментальных исследований
4.2 Результаты исследований температурных полей поверхности кристалла и их анализ
4.3 Исследование температур поверхности кристалла транзистора в металлическом корпусе.
4.4 Исследование температурной зависимости ВАХ.
4.5 Сопоставление результатов численного анализа и
экспериментальных исследований.
Заключение,
Список литературы