- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
2003
Артикул:
0403U000899 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Вплив параметрів і типу базових напівпровідників на характеристики фоточутливих структур на їх основі
- Управління ризиками металургійних підприємств в ринкових умовах
- Динаміка спінових систем та мікрохвильове поглинання в напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах.
- Динаміка формування хімічного зв'язку в низькосиметричних кристалах
- Структура і стимульовані зміни параметрів об'ємних та плівкових нанокомпозитів Bi(Sb) - As2S3
- Плівки CsI(Tl): структура, сцинтиляційні властивості, формування зображень
- Спектроскопiя метастабiльнихдефектiв в склоподiбних напiвпровiдниках SbxSe1-x.
- Механізм організаційно - виробничого менеджменту в системі антикризового управління підприємством
- Еволюція фізичних властивостей напівпровідників АIIВVI гексагональної сингонії при переході до розмірів квантових масштабів
- Кінетичні явища в кобальтитах A'1-xА''xCoO3-d (А' = Ho, Er, La; А'' = Sr, Ca, Ag)