СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАДИАЦИОННОЙ
МОДИФИКАЦИИ СВОЙСТВ ПРИБОРОВ ТВЕРДОТЕЛЬ-
НОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ……………………………………………
1.1. Классификация, определения и параметры ионизирующих
излучений………………………………………………………
1.1.1. Характеристики частиц с высокой энергией………………….
1.2. Физические процессы модификации свойств твердого тела при
воздействии ионизирующих излучений…………………………….
1.3. Радиационная модификация свойств в твердотельной
электронике
.
1.3.1. Физические предпосылки использования ионизирующих
излучений………………………………………………………
1.3.2. Биполярные транзисторы…………………………………….
1.3.3. Униполярные транзисторы……………………………………
1.3.4. Полупроводниковые фотопреобразователи………………….
1.3.5. Интегральные микросхемы……………………………………
1.4. Постановка задачи исследования…………………………………….
ГЛАВА ТЕХНОЛОГИЯ И СРЕДСТВА РАДИАЦИОННОЙ
МОДИФИКАЦИИ СВОЙСТВ………………………………….
2.1. Средства получения ионизирующих излучений…………………….
2.2. Разработка технологии радиационной модификации
полупроводниковых материалов и приборов………………………
2.2.1. Применение быстрых нейтронов………………………………
2.2.2. Применение быстрых электронов и гамма-квантов………….
2.3. Методы и средства метрологии параметров полупроводниковых
материалов и приборов после радиационной обработки………….
2.3.1. Методика радиоактивационного анализа состава материалов
2.3.2. Методика масс-спектроскопии состава материалов………….
2.3.3. Определение структурных параметров полупроводниковых
изделий………………………………………………………….
2.3.4. Определение электрофизических характеристик
эпитаксиальных слоев…………………………………………
2.3.5. Диагностика свойств полупроводниковых кристаллов
методом лазерной фазометрии…………………………………
2.3.6. Определение параметров полупроводниковых ИК-элементов
2.4. Выводы…………………………………………………………………
ГЛАВА ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И РАЗРА-
БОТКА МЕТОДОВ РАДИАЦИОННОЙ МОДИФИКАЦИИ
СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ……
3.1. Модели физических процессов радиационной модификации……
3.1.1. Электрические свойства………………………………………
3.1.2. Структурные свойства………………………………………….
3.2. Монокристаллический кремний…………………………………….
3.3. Бинарные соединения типа АВ………………………………
3.3.1. Арсенид галлия………………………………………………….
3.3.2. Фосфид галлия…………………………………………………
3.4. Многокомпонентные твердые растворы систем типов АВ и
АВ……………………………………………………………………
3.4.1. Тройное полупроводниковое соединение CdxHg-xTe………
3.4.2. Монокристаллы твердых растворов Ga-xAlxAs,
Ga-xPxAs и светодиодов на их основе………………………
3.5. Выводы…………………………………………………………………
ГЛАВА ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И
РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ РАДИАЦИОННОЙ МОДИФИКА-
ЦИИ ПАРАМЕТРОВ ПРИБОРОВ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ
ЭЛЕКТРОНИКИ………………………………………………….
4.1. Полупроводниковые дискретные транзисторы…………………….
4.2. Интегральные микросхемы………………………………………….
4.2.1. Полупроводниковые микросхемы частного применения……
4.2.2. Гибридные интегральные микросхемы………………………
4.3. Полупроводниковые приборы оптоэлектроники……………………
4.3.1. Критерии радиационной стойкости фотоприемных
устройств……………………………………………………….
4.3.2. Фотоприемники на основе твердых растворов Cd-xHgxTe
(КРТ)……………………………………………………………
4.3.3. Инжекционные лазерные и светоизлучающие диоды на
основе соединений АВ………………………………………
4.4. Выводы…………………………………………………………………
ВЫВОДЫ…………………………………………………………………….
СПИСОК
- Київ+380960830922