Зміст
ВСТУП
РОЗДІЛ 1. Фізичні властивості структур з Si-нк вбудованими в діелектричну
матрицю (огляд)
1. Структурні та люмінесцентні властивості.
1. Модифікація світловипромінюючих структур з Si-нк
1. Постановка задач дослідження
РОЗДІЛ 2. Методика експерименту
2. Методи отримання плівок SiOХ
2.1. Плазмохімічне осадження з газової фази
2.1. Термічне напилення
2.1. Іонна імплантація
2.1.3. Імплантація в підігріту підкладку
2.1.3. Імплантація з ультразвуковою обробкою
2. Термічні обробки та модифікація структур
2.2. Високотемпературний відпал зразків та низькотемпературні обробки
2.2. Імплантація домішок
2. Дослідження складу та структурних характеристик
2.3. Дослідження елементного складу та розподілу по глибині зразків
2.3.1. Часопролітна вторинна іонна мас-спектрометрія
2.3.1. Мас-спектрометрія вторинних постіонізованих нейтральних частинок
2.3.1. Рентгенівська фотоелектронна спектроскопія
2.3.1. Оже-електронна спектроскопія
2.3. Дослідження структури отриманих плівок
2.3.2. Просвічуюча електронна мікроскопія
2.3.2. Ширококутове розсіювання рентгенівських променів
2.3.2. Атомно силова мікроскопія
2. Дослідження оптичних та електричних властивостей
2.4. Еліпсометрія
2.4. Дослідження фотолюмінесцентних властивостей
2.4. Струмопротікання та електролюмінесцентні властивості
Висновки:
РОЗДІЛ 3. Кремнієві нанокластери: залежність властивостей від способу
формування
3. Елементний склад та структурні особливості вихідних плівок SiOX.
3.1. Субоксид кремнію
3.1. Плівки SiOX, отримані методом PECVD
3.1. Зразки, отримані методом іонної імпалантації.
3.1. Зразки, отримані методом термічного напилення.
3. Термічний розпад фази SiOX і формування Si-нк
3.2. Розпад фази SiOX – дані ІЧ спектроскопії
3.2. Формування Si-нк – дані АСМ, ПEM та ШКРРП
3.2. Аналіз складу плівок з Si-нк методом еліпсометрії.
3. Випромінювальні властивості Si-нк структур
3.3. Фотолюмінесцентні властивості структур з Si-нк, отриманих методом
PECVD
3.3. Фотолюмінесцентні властивості структур з Si-нк, отриманих термічним
напиленням
3.3. Фотолюмінесцентні властивості структур з Si-нк, отриманих іонною
імплантацією
3.3. Порівняння світловипромінюючих властивостей структур з Si-нк отриманих
різними методами
Висновки:
РОЗДІЛ 4. Іонно-стимульована модифікація фотолюмінесцентних властивостей
структур з Si-нк
4. Вплив алюмінію та титану на світловипромінювальні властивості структур з
Si-нк
4.1. Розподіл Al та Ti в плівці SiOX
4.1. Вплив Al та Ti на ФЛ властивості структур з Si-нк.
4.1. Вплив дози імплантованого Al на інтенсивність ФЛ структур з Si-нк
4.1. Можливі механізми впливу Al та Ti на формування і випромінювальні
властивості Si-нк
4. Вплив азоту на фотолюмінесцентні властивості кремнієвих нанокластерних
структур.
4.2. Методи введення азоту
4.2. Вплив азоту на фотолюмінесцентні властивості структур з Si-нк
4.2. Дослідження впливу атмосфери відпалу на ФЛ властивості структур з Si-нк
при комбінованому відпалі.
4.2. Модель впливу азоту на світловипромінювальні властивості структур з
кремнієвими нанокластерами
4.2. “Гаряча” імплантація азоту в структури з Si-нк
4.2. Вплив азоту на фотолюмінесцентні властивості структур з Si-нк, отриманих
методом іонної імплантації.
4.2. Вплив атмосфери відпалу на ІЧ-спектри структур зі сформованими
нанокластерами
4. Порівняння впливу домішок на фотолюмінесцентні властивості структур з Si-нк
отриманих різними методами.
4. ФЛ структур з Si-нк, отриманих методом акустостимульованої іонної
імплантації
Висновки:
РОЗДІЛ 5. Вплив низькотемпературних обробок на світловипромінювальні
властивості структур з Si-нк
5. Структури, отримані термічним напиленням
5.1. Вплив атмосфери низькотемпературної обробки на фотолюмінесцентні
властивості структур з Si-нк
5.1. Вплив температури модифікуючого відпалу на ФЛ
5.1. Повторюваність ефекту збільшення інтенсивності ФЛ при низькотемпературній
обробці
5. Вплив низькотемпературного відпалу на ФЛ структур, отриманих методом іонної
імплантації
5. Механізм впливу низькотемпературних обробок на випромінювальні властивості
структур з Si-нк
5.3. Зміна концентрації азоту в плівці.
5.3. Механічні напруження в структурах з Si-нк.
5.3. Вплив модифікуючого відпалу на ІЧ-спектри структур зі сформованими
нанокластерами
5.3. Вплив тривалості відпалу в H на інтенсивність ФЛ структур з Si-нк
5.3. Модель впливу низькотемпературних відпалів на світловипромінювальні
властивості структур з Si-нк
5. Порівняння впливу низькотемпературних відпалів на ФЛ властивості структур з
Si-нк, отриманих різними методами.
Висновки
Загальні висновки
Список
- Київ+380960830922