Содержание
Введение.
ГЛАВА 1. Литературный обзор
1.1 Современные методы получения эпитаксиальных структур на основе
1.2 Закон Вегарда и образование сверхструктурных фаз в А3В5.
1.3 ИК спектры отражения полупроводников А В5. Фононный и
плазмон фононный резонансы.
1.4 Выводы по главе.
ГЛАВА 2. Объекты и методы исследования.
2.Характеристики объектов по сериям.
2.2Рентгенодифракционные методы определения параметров решетки твердых растворов в гетероструктурах на основе А3В5
2.2.1 Особенности дифрактометрического метода.
2.2.2 Особенности рентгенографического метода обратной съемки
2.3 ИК спектрометрия отражения .
2.4 Атомно силовая микроскопия АСМ наноструктур
2.5 Выводы по главе .
ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты рентгеноструктурных и
морфологических исследований.
3.1 Определение параметров твердых растворов с учетом упругих напряжений.
3.2 Характер закона Вегарда в твердых расторах А1хСа.хА8
3.2.1 Твердые растворы АваАв в гетероструктурах, выращенные химическим осаждением из газовой фазы металлорганических соединений
3.2.2 . Эпитаксиальные твердые растворы, полученные методом жидкофазной эпитаксии.
3.3 Сверхструктурная . фаза АЮаА2 в МОС гидридных гстероструктурах. Прецизионное определение параметров кристаллической решетки
3.3.1 Дифрактометрические исследования.
3.2.2 Рентгенографические исследования. Прецизионное определение параметров
3.3 Результаты АСМ исследований морфологии поверхности образцов
3.4 Обсуждение результатов и выводы по
ГЛАВА 4. ИК спектры отражения от эпитаксиальных гетероструктур
АиОаихАвСаАвООО.
4.1 Приближение однофонного резонанса для расчета спектра бинарного кристалла ОаАБ.
4.2 Моделирование ИК спектров в различных моделях. Усовершенствование модели пленка подложка применительно к многокомпонентным системам
4.3 Плазмон фононные спектры в гомоэпитаксиальных гетероструктурах. Моделирование в адиабатическом приближении и модели пленка подложка
4.4 Выводы по главе
Заключение и выводы по диссертации
Литература
- Київ+380960830922