- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2005
Кількість сторінок:
107
Артикул:
6156 179 грн
Рекомендовані дисертації
- СТМ/СТС исследования квантово-размерных эффектов в островковых пленках Pb на поверхностях Si
- Механизмы и кинетика релаксации неравновесных границ зерен в наноструктурных металлах
- Исследование особенностей получения и свойств тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O7-x
- Закономерности формирования, особенности структуры и свойства сверхтвердых нанокомпозитных покрытий
- Молекулярно-динамическое исследование структурных и субструктурных превращений в пленочных гетеросистемах Cu/(001)Pd, Ni(001)Pd, Pd/(001)Cu и Pd/(001)Ni
- Компьютерное моделирование термоактивируемых превращений, протекающих на антифазных и межфазных границах
- Термодинамические свойства диборидов редкоземельных элементов
- Экспериментальное исследование магниторезистивного эффекта в композитах на основе ВТСП
- Динамические состояния в конденсированных системах с аномалиями кинетических коэффициентов
- Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах