- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2005
Кількість сторінок:
107
Артикул:
6156 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Нейтронографическое исследование редкоземельных интерметаллидов на основе RCo2 фаз Лавеса
- Исследование неравновесной кристаллизации в условиях концентрационного переохлаждения при описании направленного роста кристаллов методом Бриджмена
- Закономерности и механизмы деформации и переориентации кристалла при больших пластических деформациях аустенитной стали
- Влияние шума на характер поведения неравновесного электронного газа в квазидвумерной сверхрешетке
- Развитие дискретного подхода для моделирования высокоскоростной деформации материала
- Самодиффузия воды в ориентированных липидных бислоях
- Атомная структура аморфных сплавов рения с переходными металлами шестого периода
- Переходы металл - диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах
- Формирование, морфология и некоторые свойства микроскопических фрактальных агрегатов кобальта и серебра
- Магнитные свойства магнитоупорядоченных металлов и сплавов с субмикрокристаллической структурой