Явления переноса и механизмы релаксации носителей заряда в кристаллах висмута, легированных донорными и акцепторными примесями

Оглавление
Введение.
Глава 1. краткий обзор литературных данных по исследованию электрических свойств и структуры кристаллов типа висмута
1.1 Структура кристаллов типа висмута.
1.2 Зонная структура кристаллов типа висмута.
1.3 Явления переноса в кристаллах висмута, легированных донорными
и акцепторными примесями.
1.4 Механизмы рассеяния носителей заряда в кристаллах типа висмута
1.5 Выводы к главе 1
Глава 2. К теории явлений переноса в кристаллах типа висмута.
2.1 Феноменологическая теория явлений переноса в кристаллах типа висмута.
2.2 Электронная теория явлений переноса в кристаллах типа висмута
2.3 Решение стационарного кинетического уравнения Больцмана в
упрощенной модели Лэкса носителей заряда зоны Ь
2.4. Определение электропроводности для кристаллов типа висмута в
модели МакклюраЧоя
2.5. Определение дифференциальной термоэдс кристаллов висмута в случае
закона дисперсии МакклюраЧоя.
2.6. Выводы к главе 2
Глава 3. Получение монокристаллов легированного висмута и методика
эксперимента
3.1 Получение, методы контроля и показатели качества монокристаллов висмута, легированных донорными и акцепторными примесями теллура и
3.2 Методика измерения кинетических коэффициентов в кристаллах типа
висмута и оценка погрешностей измерений
3.3 Выводы к главе 3.
Глава 4. Экспериментальные результаты
4.1 Об определении компенсированных кристаллов в системе В18п,Те
4.2 Эффект Холла в слабых магнитных полях
4.3 Дифференциальная термоэдс
4.4 Удельное сопротивление.
4.5 Изменение удельного сопротивления в магнитном поле.
4.6 Изменение термоэдс в магнитном поле
4.7 Магнитополевые зависимости постоянной Холла.
4.8 Выводы к главе 4
Глава 5. Обсуждение экспериментальных результатов.
5.1 Расчет концентраций и подвижностей носителей заряда в кристаллах В1 Бп Те из области компенсации висмута с помощью закона дисперсии Лэкса
носителей заряда зоны Ь.
5.2 Вычисление концентраций и подвижностей носителей заряда в
кристаллах легированных в сторону преобладания теллура или олова
5.3 Расчет парциальных термоэдс носителей заряда в кристаллах из области
компенсации висмута.
5.4 Расчет кинетических эффектов в кристаллах легированных теллуром и оловом на основе закона дисперсии Макклюра Чоя носителей заряда зоны
5.5 О термоэффективности кристаллов висмута, легированных примесями
теллура и олова до их частичной компенсации.
5.6. Выводы к главе 5.
Заключение
Публикации по теме диссертационной работы.
Список цитируемой литературы