Содержание
Введение.
Защищаемые положения
Апробация работы и публикации.
Глава 1. Методика эксперимента
1.1. Экспериментальная установка
1.2. Сканирующая туннельная микроскопия.
1.2.1. Физические основы сканирующей туннельной микроскопии
1.2.2. Вакуумный модуль сканирующего туннельного микроскопа
1.2.3. Подготовка зондов.
1.3. Электронная Ожеспектроскопия
1.3.1. Физические основы ЭОС.
1.3.2. Анализатор электронов типа цилиндрическое зеркало.
1.4. Термодесорбционная массспектрометрия
1.4.1. Физические основы метода
1.4.2. Реализация метода термодесорбционной массспектрометрии
1.5. Дифракция медленных электронов.
1.5.1. Физические основы ДМЭ.
1.5.2. Трехсеточный анализатор электронов
1.6. Выводы к Главе 1.
Глава 2. Обработка изображений, получаемых методом сканирующей туннельной микроскопии
2.1. Введение.
2.2. Калибровка прибора и устранение искажений в изображениях.
2.2.1. Общая характеристика искажений
2.2.2. Устранение искажений, вызванных дрейфом и установочным наклоном образца
2.2.3. Калибровка прибора
2.3. Обработка изображений
2.3.1. Основные методы обработки
2.3.2. Преобразование Фурье.
2.4. Интерпретация изображения неоднородной поверхности
2.4.1. Поверхность с сильно развитым рельефом.
2.4.2. Поверхность с неоднородной электронной структурой
2.5. Выводы к Главе 2
Глава 3. Углеродные материалы на основе нанотрубок.
3.1. Общие сведения
3.1.1. Строение углеродных нанотрубок.
3.1.2. Методы получения углеродных нанотрубок.
3.1.3. СТМ исследования одностенных углеродных нанотрубок
3.1.4. Материал рарег.
3.1.5. Постановка задачи
3.2. Структура материала Виску .
3.2.1. Методика измерений.
3.2.2. Подготовка образца.
3.2.3. Анализ СТМ данных
3.2.4. Сравнение СТМ результатов с данными КРС и ПЭМ
3.5. Выводы к Главе 3
Глава 4. Структура поверхности графита при воздействии низкоэнергетических ионов
4.1. Общие сведения
4.1.1. Введение.
4.1.2. Особенности взаимодействия низкоэнергетических ионов с поверхностью.
4.1.3. Радиационные дефекты на поверхности графита
4.1.4. Постановка задачи
4.2. Результаты эксперимента и их обсуждение.
4.2.1 Методика эксперимента.
4.2.2. Результаты СТМ измерений
4.2.3. Идентификация дефектов
4.3. Выводы к Главе 4
Глава 5. Многослойные структуры в системе .
5.1. Кристаллография поверхности при адсорбции
5.1.1. Классификация поверхностных структур.
5.1.2. Рисунок Муара i
5.1.3.Поверхностное напряжение и способы его релаксации.
5.1.4. Выбор модельной системы
5.2. Адсорбция йода на .
5.2.1. Анализ работ по адсорбции йода на Си1
5.2.2. Постановка задачи
5.2.3. Приготовление объекта исследования и методика измерений
5.3. Субмонослойное покрытие йода.
5.3.1. Треугольные нанообъекты
5.3.2. Структурная модель и механизм формирования треугольных нанообъектов.
5.4. Эпитаксиальный рост йодида меди
5.4.1. Зарождение островков.
5.4.2. Тонкая пленка
5.4.3. Толстая пленка.
5.4.4. Структура интерфейса
5.5. Выводы к главе 5.
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922