ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. СОСТОЯНИЕ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ
ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ .
1.1. Метод функций Грина.
1.1.1. Подход СлейтераКостера .
1.1.2. Полуэмпирический метод функций Грина
1.1.3. Неэмпирический метод функций Грина
1.2. Молекулярнокластерные метода и метода циклических кластеров .
1.3. Некоторые новые подхода в рамках метода
функций Грина .
ГЛАВА 2. МЕТОД ФУНКЦИЙ ГРИНА В БАЗИСЕ ИЗ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ ОРБИТАЛЕЙ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И РЕЗОНАНСНЫХ СОСТОЯНИЙ В КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ.
2.1. Закон дисперсии для ковалентных кристаллов в рамках метода сильной связи в базисе из эквивалентных орбиталей .
2.2. Параметризация полной зонной структуры кремния с учетом взаимодействия атомов третьих
соседей.
2.3. Метод функций Грина в базисе эквивалентных орбиталей
2.3.1. Расчет матричных элементов функций Грина
вне разрешенных энергетических зон .
2.3.2. Расчет матричных элементов функций Грина в
разрешенных энергетических зонах .
2.3.3. Расчет матрицы плотности состояний .
2.3.4. Плотность электронных состояний в кремнии
2.4. Матричные элементы потенциала возмущения .
ГЛАВА 3. НОВЫЙ ПОДХОД К ИССЛЕДОВАНИЮ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ
СОСТОЯНИЙ
3.1. Генеалогия локализованных состояний точечных дефектов в ковалентных кристаллах
3.1.1. Преобразование уравнения метода функций Грина.
3.1.2. Точечные дефекты. Определение вакансии .
3.1.3. Локализованные состояния примесей
3.1.4. Уравнение для локализованных состояний
точечных дефектов .
3.1.5. Локализованные уровни идеальной вакансии при использовании других базисных функций .
3.1.6. Роль зонных состояний и искажений решетки в формировании локализованных уровней .
3.2. Обобщение на произвольный сложный дефект .
3.2.1. Расширенный метод дефектной молекулы
3.2.2. К определению матричных элементов потенциала возмущения в методе функций Грина при
использовании неполного базисного набора .
3.2.3. Формулировка граничных условий в молекулярнокластерных расчетах.
ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И РЕЗОНАНСНЫХ СОСТОЯНИЙ ТОЧЕЧНЫХ И СЛОЖНЫХ
ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ. III
4.1. О критерии выбора специальных точек зоны
Бриллюэна для расчета матричных элементов
функций Грина
4.2. Локализованные и резонансные состояния
точечных дефектов .
4.3. Локализованные и резонансные состояния
сложных дефектов
4.4. Ецентр в рамках расширенного метода
дефектной молекулы
4.5. Сопоставление с другими расчетными данными .
4.5.1. Точечные дефекты в кремнии .
4.5.2. Сложные дефекты в кремнии
ПРИЛОЖЕНИЯ .
Приложение I. Блоксхема разработанного комплекса
программ и основные этапы расчета .
Приложение 2. Применение расширенного метода дефектной молекулы к локализованным состояниям дефектов в гомоатомной линейной цепочке .
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ .
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922